| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第14-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第14页 |
| 1.2 硅片腐蚀 | 第14-17页 |
| 1.2.1 硅片腐蚀工艺的原理 | 第14-15页 |
| 1.2.2 硅片腐蚀工艺 | 第15-17页 |
| 1.3 硅片CVD前清洗工艺 | 第17-23页 |
| 1.3.1 硅片表面状态 | 第17页 |
| 1.3.2 硅片表面沾污 | 第17-19页 |
| 1.3.3 RCA清洗工艺及常用化学清洗液 | 第19-22页 |
| 1.3.4 硅片清洗的干燥方法 | 第22-23页 |
| 1.4 不同掺杂剂硅单晶的性质 | 第23-25页 |
| 1.5 衬底硅片背封方法及背封物质 | 第25-27页 |
| 1.5.1 衬底硅片背封方法 | 第25-26页 |
| 1.5.2 衬底硅片背封沉积物质 | 第26-27页 |
| 1.6 清洗后的硅片表面 | 第27-28页 |
| 1.6.1 亲水表面Si-(OH)x | 第27页 |
| 1.6.2 憎水表面Si-Hx | 第27-28页 |
| 1.7 本文的研究内容及意义 | 第28-29页 |
| 2 样品及设备 | 第29-35页 |
| 2.1 样片准备 | 第29页 |
| 2.2 实验设备 | 第29-32页 |
| 2.2.1 SCC清洗机 | 第30-31页 |
| 2.2.2 WJ1000APCVD设备 | 第31-32页 |
| 2.3 检测设备 | 第32-33页 |
| 2.3.1 表面颗粒检测仪 | 第32-33页 |
| 2.3.2 TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) | 第33页 |
| 2.4 研究内容 | 第33-35页 |
| 3 改变APCVD前部分清洗流程与硅片表面颗粒关系 | 第35-46页 |
| 3.1 颗粒数量与DHF后纯水槽清洗方式及干燥时间关系 | 第35-41页 |
| 3.2 颗粒与APCVD前DHF清洗时间的关系 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 颗粒数量与硅片存放时间关系 | 第46-52页 |
| 4.1 实验设计 | 第46-47页 |
| 4.2 存放时间与颗粒关系 | 第47-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 不同掺杂剂硅片与沉积薄膜质量的关系 | 第52-62页 |
| 5.1 实验设计 | 第53-54页 |
| 5.2 掺杂剂不同与沉积薄膜质量的关系 | 第54-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
