卧式HVPE生长GaN的计算机模拟
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 氮化镓的基本性质 | 第10-14页 |
| 1.2.1 能带结构 | 第10页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第10-12页 |
| 1.2.3 物理特性 | 第12-14页 |
| 1.2.4 化学性质 | 第14页 |
| 1.2.5 电学性质 | 第14页 |
| 1.3 氮化镓材料生长方法的介绍 | 第14-17页 |
| 1.3.1 MOCVD | 第15-16页 |
| 1.3.2 MBE | 第16-17页 |
| 1.3.3 HVPE | 第17页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 模拟前的氮化镓薄膜的HVPE生长 | 第19-31页 |
| 2.0 背景 | 第19-21页 |
| 2.1 探索高温区温度对GaN薄膜性质的影响 | 第21-25页 |
| 2.1.1 实验过程 | 第21-22页 |
| 2.1.2 实验结果与讨论 | 第22-25页 |
| 2.2 V/III比对GaN薄膜性质的影响 | 第25-29页 |
| 2.2.1 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.2.2 实验结果与讨论 | 第26-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 FLUENT介绍 | 第31-44页 |
| 3.1 FLUENT简介 | 第31-36页 |
| 3.1.1 程序的结构 | 第31-32页 |
| 3.1.2 FLUENT软件求解问题 | 第32-33页 |
| 3.1.3 FLUENT软件使用步骤 | 第33页 |
| 3.1.4 FLUENT求解器 | 第33-34页 |
| 3.1.5 FLUENT求解方法的选择 | 第34页 |
| 3.1.6 边界条件的确定 | 第34-36页 |
| 3.2 FLUENT的数学模型 | 第36-44页 |
| 3.2.1 统御方程 | 第36-37页 |
| 3.2.2 腔体内的流体和反应模型 | 第37-40页 |
| 3.2.3 材料的物理参数 | 第40-43页 |
| 3.2.4 边界条件 | 第43-44页 |
| 第四章 HVPE生长氮化镓距离模拟 | 第44-51页 |
| 4.1 HVPE生长氮化镓的模型建立 | 第44-45页 |
| 4.2 边界条件的设定 | 第45页 |
| 4.3 GaCl进气口与衬底之间距离的优化模拟 | 第45-50页 |
| 4.3.1 设计思想 | 第45页 |
| 4.3.2 模拟过程与结果 | 第45-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 HVPE生长氮化镓管口半径模拟 | 第51-57页 |
| 5.1 HVPE生长氮化镓的模型建立 | 第51-52页 |
| 5.2 边界条件的设定 | 第52页 |
| 5.3 GaCl进气口管口半径模拟 | 第52-56页 |
| 5.3.1 设计思想 | 第52-53页 |
| 5.3.2 模拟过程与分析 | 第53-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 HVPE生长氮化镓衬底角度模拟 | 第57-63页 |
| 6.1 HVPE生长氮化镓的模型建立 | 第57页 |
| 6.2 边界条件的设定 | 第57-58页 |
| 6.3 衬底倾斜角度的模拟 | 第58-62页 |
| 6.3.1 设计思想 | 第58页 |
| 6.3.2 模拟过程与分析 | 第58-62页 |
| 6.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第七章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
