| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-33页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-15页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的物理化学性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第13-14页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第14-15页 |
| ·ZnO基的透明导电薄膜研究现状 | 第15-17页 |
| ·ZnO的H掺杂 | 第17-28页 |
| ·ZnO本征n型导电来源的探讨 | 第17-19页 |
| ·ZnO中H的位置 | 第19-23页 |
| ·ZnO中H的常用表征 | 第23-28页 |
| ·ZnO的F掺杂 | 第28-30页 |
| ·ZnO薄膜F掺杂的优势 | 第28-29页 |
| ·ZnO薄膜F掺杂的研究现状 | 第29-30页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第30-33页 |
| 第三章 实验原理、制备工艺及表征技术 | 第33-39页 |
| ·磁控溅射技术 | 第33-35页 |
| ·磁控溅射原理 | 第33-34页 |
| ·实验设备 | 第34-35页 |
| ·制备工艺 | 第35-37页 |
| ·薄膜表征技术 | 第37-39页 |
| 第四章 H掺杂ZnO薄膜的制备及性能表征 | 第39-58页 |
| ·溅射气氛中通H_2掺H | 第39-44页 |
| ·氢气流量对HZO_Ⅰ薄膜表面形貌和晶体质量的影响 | 第40-41页 |
| ·氢气流量对HZO_Ⅰ薄膜电学性能的影响 | 第41-43页 |
| ·氢气流量对HZO_Ⅰ薄膜光学性能的影响 | 第43-44页 |
| ·等离子处理法掺H | 第44-51页 |
| ·衬底温度对HZO_Ⅱ薄膜电学性能的影响 | 第45-47页 |
| ·衬底温度对HZO_Ⅱ薄膜结晶质量和形貌的影响 | 第47-50页 |
| ·衬底温度对HZO_Ⅱ薄膜光学性能的影响 | 第50-51页 |
| ·两种方法掺氢的比较 | 第51-56页 |
| ·两种方法掺氢效果的不同点 | 第51-54页 |
| ·关于HZO_Ⅱ薄膜中H位置的讨论 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 F掺杂ZnO薄膜的制备及性能表征 | 第58-67页 |
| ·衬底温度对FZO薄膜性能影响 | 第58-62页 |
| ·衬底温度对FZO薄膜结构和形貌的影响 | 第58-60页 |
| ·衬底温度对FZO薄膜电学性能的影响 | 第60-61页 |
| ·衬底温度对FZO薄膜光学性能的影响 | 第61-62页 |
| ·溅射气压对FZO薄膜性能影响 | 第62-64页 |
| ·溅射气压对FZO薄膜电学性能的影响 | 第63-64页 |
| ·溅射气压对FZO薄膜光学性能的影响 | 第64页 |
| ·退火对FZO薄膜性能影响 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 H、F共掺杂ZnO薄膜与其性能表征 | 第67-76页 |
| ·H掺杂对FZO薄膜电学性能的影响 | 第67-69页 |
| ·H等离子体对FZO薄膜电学性能的影响 | 第69-71页 |
| ·退火对HFZO薄膜电学性能的影响 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第七章 总结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 个人简历 | 第87-89页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第89页 |