| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9页 |
| ·声表面波及声表面波器件的简介 | 第9-12页 |
| ·声表面波器件的基本结构 | 第10-11页 |
| ·声表面波器件的分类及特性 | 第11-12页 |
| ·声表面波器件的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本课题的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 AlN 薄膜的性质及其制备方法 | 第15-21页 |
| ·AlN 晶体结构和性能 | 第15-17页 |
| ·AlN 薄膜的制备 | 第17-18页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第18-19页 |
| ·射频磁控溅射原理及设备 | 第18-19页 |
| ·射频磁控溅射的优点 | 第19页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第19-20页 |
| ·X 射线衍射 | 第19页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 （100）AlN 薄膜的制备工艺及表征 | 第21-30页 |
| ·AlN 薄膜的制备 | 第21-22页 |
| ·工艺参数对的 AlN 薄膜择优取向的影响 | 第22-29页 |
| ·N_2:Ar 对 AlN 薄膜制备及其表面形貌的影响 | 第22-24页 |
| ·溅射功率对 AlN 薄膜制备及其表面形貌的影响 | 第24-26页 |
| ·工作压强对 AlN 择优取向的影响 | 第26-28页 |
| ·退火和以氮结尾对 AlN 表面粗糙度的影响 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 AlN 薄膜的缺陷分析和两步法工艺研究 | 第30-40页 |
| ·AlN 薄膜的成核过程 | 第30页 |
| ·薄膜制备过程中缺陷分析 | 第30-32页 |
| ·晶格失配位错 | 第30-31页 |
| ·反相畴 | 第31-32页 |
| ·平坦性 | 第32页 |
| ·两步法制备高品质的 AlN 薄膜 | 第32-33页 |
| ·AlN/Si 结构材料的成核层生长 | 第33-37页 |
| ·成核阶段工作压强对 AlN 薄膜制备的影响 | 第33-35页 |
| ·成核阶段氮氩比对 AlN 薄膜制备的影响 | 第35-37页 |
| ·常规工艺和两步法工艺的对比 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 大面积 Si 衬底和金刚石衬底上制备 AlN 薄膜实验研究 | 第40-45页 |
| ·基于两步法工艺在大面积 Si 衬底上制备 AlN 薄膜的实验研究 | 第40-41页 |
| ·基于两步法工艺在金刚石衬底上制备 AlN 薄膜的实验研究 | 第41-44页 |
| ·金刚石的性质及制备 | 第41-42页 |
| ·金刚石上氮化铝薄膜的制备与表征 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
