硅基GaN欧姆接触及紫外探测器的研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-30页 |
| 2．1 GaN的基本性质 | 第10-12页 |
| 2．2 GaN材料的制备方法 | 第12-21页 |
| 2．2．1 GaN体单晶生长 | 第12-13页 |
| 2．2．2 GaN外延生长技术 | 第13-21页 |
| 2．3 GaN材料的掺杂 | 第21-22页 |
| 2．4 GaN材料的器件应用 | 第22-26页 |
| 微电子应用： | 第22-23页 |
| 光电子应用： | 第23-26页 |
| 2．5 立题思路和意义 | 第26-27页 |
| 参考文献： | 第27-30页 |
| 第三章 Si基GaN薄膜生长及性能表征 | 第30-40页 |
| 3．1 Si基GaN材料外延生长系统 | 第30-32页 |
| 3．2 Si基GaN材料外延生长 | 第32-34页 |
| 3．2．1 衬底的清洗 | 第32-34页 |
| 3．2．2 外延生长过程 | 第34页 |
| 3．3 Si基GaN典型样品的性能表征 | 第34-39页 |
| 晶体学分析 | 第35-38页 |
| 发光特性分析 | 第38-39页 |
| 电学分析 | 第39页 |
| 参考文献： | 第39-40页 |
| 第四章 金属与GaN的欧姆接触 | 第40-51页 |
| 4．1 引言 | 第40-44页 |
| 4．2 实验 | 第44页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 1． Al单层电极 | 第44-46页 |
| 2． Ti/Al双层电极 | 第46-50页 |
| 4．4 结论 | 第50页 |
| 参考文献： | 第50-51页 |
| 第五章 GaN紫外探测器的研究 | 第51-63页 |
| 5．1 引言 | 第51页 |
| 5．2 标准器件工艺 | 第51-56页 |
| 5．3 实验过程 | 第56-58页 |
| 5．4 实验结果与讨论 | 第58-61页 |
| 5．5 小结 | 第61-62页 |
| 参考文献： | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
