氢化物气相外延生长GaN的数值模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·GaN的基本性质 | 第9-11页 |
| ·结构特征 | 第9-10页 |
| ·电学特性 | 第10-11页 |
| ·光学特性 | 第11页 |
| ·化学特性 | 第11页 |
| ·外延GaN材料的制备 | 第11-16页 |
| ·GaN材料的制备历史 | 第11-12页 |
| ·GaN材料的生长技术 | 第12-15页 |
| ·衬底材料的选择 | 第15-16页 |
| ·本文的主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 流体力学与CFD相关软件 | 第17-22页 |
| ·流体力学基础知识 | 第17-19页 |
| ·流体力学的发展背景 | 第17-18页 |
| ·流体力学的控制方程 | 第18-19页 |
| ·CFD相关软件 | 第19-22页 |
| ·CFD求解力学问题的过程 | 第19页 |
| ·CFD数值模拟方法 | 第19-20页 |
| ·CFD软件的构成 | 第20-22页 |
| 第三章 HVPE腔体中的二维模拟计算 | 第22-48页 |
| ·HVPE系统的二维模型的建立及其参数 | 第22页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比对GaN生长的影响 | 第22-29页 |
| ·边界条件的设定 | 第22-23页 |
| ·设计思路 | 第23页 |
| ·结果分析 | 第23-29页 |
| ·分隔气对GaN生长的影响 | 第29-35页 |
| ·边界条件的设定 | 第29页 |
| ·设计思路 | 第29-30页 |
| ·结果分析 | 第30-35页 |
| ·外层N2对GaN生长的影响 | 第35-41页 |
| ·边界条件的设定 | 第35页 |
| ·设计思路 | 第35-36页 |
| ·结果分析 | 第36-41页 |
| ·衬底倾斜角度对GaN生长的影响 | 第41-47页 |
| ·边界条件的设定 | 第41-42页 |
| ·设计思路 | 第42页 |
| ·结果分析 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 HVPE腔体中的三维模拟计算 | 第48-66页 |
| ·HVPE系统的三维模型的建立 | 第48页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比对GaN生长的影响 | 第48-58页 |
| ·边界条件的设定 | 第48-49页 |
| ·设计思路 | 第49页 |
| ·结果分析 | 第49-58页 |
| ·分隔气对GaN生长的影响 | 第58-65页 |
| ·边界条件的设定 | 第58-59页 |
| ·设计思路 | 第59页 |
| ·结果分析 | 第59-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
