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氢化物气相外延生长GaN的数值模拟

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 绪论第8-17页
   ·引言第8-9页
   ·GaN的基本性质第9-11页
     ·结构特征第9-10页
     ·电学特性第10-11页
     ·光学特性第11页
     ·化学特性第11页
   ·外延GaN材料的制备第11-16页
     ·GaN材料的制备历史第11-12页
     ·GaN材料的生长技术第12-15页
     ·衬底材料的选择第15-16页
   ·本文的主要内容第16-17页
第二章 流体力学与CFD相关软件第17-22页
   ·流体力学基础知识第17-19页
     ·流体力学的发展背景第17-18页
     ·流体力学的控制方程第18-19页
   ·CFD相关软件第19-22页
     ·CFD求解力学问题的过程第19页
     ·CFD数值模拟方法第19-20页
     ·CFD软件的构成第20-22页
第三章 HVPE腔体中的二维模拟计算第22-48页
   ·HVPE系统的二维模型的建立及其参数第22页
   ·Ⅴ/Ⅲ比对GaN生长的影响第22-29页
     ·边界条件的设定第22-23页
     ·设计思路第23页
     ·结果分析第23-29页
   ·分隔气对GaN生长的影响第29-35页
     ·边界条件的设定第29页
     ·设计思路第29-30页
     ·结果分析第30-35页
   ·外层N2对GaN生长的影响第35-41页
     ·边界条件的设定第35页
     ·设计思路第35-36页
     ·结果分析第36-41页
   ·衬底倾斜角度对GaN生长的影响第41-47页
     ·边界条件的设定第41-42页
     ·设计思路第42页
     ·结果分析第42-47页
   ·本章小结第47-48页
第四章 HVPE腔体中的三维模拟计算第48-66页
   ·HVPE系统的三维模型的建立第48页
   ·Ⅴ/Ⅲ比对GaN生长的影响第48-58页
     ·边界条件的设定第48-49页
     ·设计思路第49页
     ·结果分析第49-58页
   ·分隔气对GaN生长的影响第58-65页
     ·边界条件的设定第58-59页
     ·设计思路第59页
     ·结果分析第59-65页
   ·本章小结第65-66页
第五章 总结与展望第66-67页
参考文献第67-69页
致谢第69页

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