| 摘要 | 第4-5页 |
| ABTSRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第11-12页 |
| 1.2.1 气敏传感器的分类 | 第11-12页 |
| 1.2.2 气敏传感器的发展与应用 | 第12页 |
| 1.3 气敏材料的研究进展 | 第12-18页 |
| 1.3.1 国内研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.2 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3.3 目前的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 半导体薄膜的制备方法与表征技术 | 第20-28页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第20-21页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术原理 | 第20页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术特点 | 第20-21页 |
| 2.2 实验设备和实验试剂 | 第21-25页 |
| 2.2.1 磁控溅射系统 | 第21-22页 |
| 2.2.2 高温氨化系统 | 第22页 |
| 2.2.3 气敏测试系统 | 第22-24页 |
| 2.2.4 实验中所使用的其他仪器 | 第24页 |
| 2.2.5 实验中用到的材料和试剂 | 第24-25页 |
| 2.3 样品的测试与表征技术 | 第25-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第25页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.3.3 能量色散谱(EDS) | 第25页 |
| 2.3.4 光致发光(PL) | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 Ga_2O_3薄膜的制备与气敏性能研究 | 第28-50页 |
| 3.1 Ga_2O_3薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 3.1.1 制备方法 | 第28页 |
| 3.1.2 制备工艺过程 | 第28-30页 |
| 3.2 不同工艺参数对Ga_2O_3薄膜生长的影响 | 第30-43页 |
| 3.2.1 溅射气压对Ga_2O_3薄膜生长的影响 | 第30-34页 |
| 3.2.2 衬底温度对Ga_2O_3薄膜生长的影响 | 第34-39页 |
| 3.2.3 溅射功率对Ga_2O_3薄膜生长的影响 | 第39-43页 |
| 3.3 Ga_2O_3薄膜材料的气敏性能测试 | 第43-46页 |
| 3.3.1 Ga_2O_3薄膜样品气敏传感器结构 | 第43-44页 |
| 3.3.2 Ga_2O_3薄膜气敏性能测试 | 第44-46页 |
| 3.4 Ga_2O_3薄膜材料的气敏工作原理探究 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-50页 |
| 第四章 In_2O_3薄膜的制备与气敏性能研究 | 第50-66页 |
| 4.1 In_2O_3薄膜的制备 | 第50-51页 |
| 4.2 不同工艺参数对In_2O_3薄膜生长的影响 | 第51-61页 |
| 4.2.1 溅射气压对In_2O_3薄膜生长的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.2 衬底温度对In_2O_3薄膜生长的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.3 溅射功率对In_2O_3薄膜生长的影响 | 第58-61页 |
| 4.3 In_2O_3薄膜材料的气敏性能测试 | 第61-64页 |
| 4.4 In_2O_3薄膜材料的气敏工作原理探究 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 GaN薄膜的制备与气敏性能研究 | 第66-84页 |
| 5.1 GaN薄膜的制备 | 第66-67页 |
| 5.2 不同工艺参数对GaN薄膜生长的影响 | 第67-78页 |
| 5.2.1 衬底温度对GaN薄膜生长的影响 | 第67-71页 |
| 5.2.2 溅射时间对GaN薄膜生长的影响 | 第71-74页 |
| 5.2.3 氨化温度对GaN薄膜生长的影响 | 第74-78页 |
| 5.3 GaN生长机理的研究 | 第78-79页 |
| 5.4 GaN薄膜材料的气敏性能测试 | 第79-82页 |
| 5.5 GaN薄膜材料的气敏工作原理探究 | 第82-83页 |
| 5.6 本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备与气敏性能研究 | 第84-102页 |
| 6.1 InN薄膜制备工艺的探究 | 第84页 |
| 6.2 不同工艺参数对InN薄膜生长的影响 | 第84-89页 |
| 6.2.1 溅射气压对InN薄膜生长的影响 | 第84-87页 |
| 6.2.2 衬底温度对InN薄膜生长的影响 | 第87-89页 |
| 6.3 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备 | 第89页 |
| 6.4 不同工艺参数对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第89-97页 |
| 6.4.1 溅射气压对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第89-92页 |
| 6.4.2 衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第92-94页 |
| 6.4.3 溅射功率对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第94-97页 |
| 6.5 In_xGa_(1-x)N薄膜材料的气敏性能测试 | 第97-99页 |
| 6.6 本章小结 | 第99-102页 |
| 第七章 总结与展望 | 第102-104页 |
| 7.1 工作总结 | 第102-103页 |
| 7.2 工作展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-116页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
