| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·GaN的基本性质 | 第10-13页 |
| ·GaN的物理性质 | 第10-11页 |
| ·GaN的化学性质 | 第11页 |
| ·GaN的光学性质 | 第11页 |
| ·GaN的电学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN的压电性质 | 第12-13页 |
| ·压电薄膜AlN的简介 | 第13-14页 |
| ·金刚石的结构、性能及应用 | 第14-17页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·金刚石的性质及应用 | 第15-17页 |
| ·压电薄膜/自支撑金刚石厚膜结构的声表面波滤波器(SAW) | 第17-20页 |
| ·声表面波(SAW)滤波器件的简介 | 第17-19页 |
| ·压电薄膜/自支撑金刚石厚膜结构 | 第19-20页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第21-25页 |
| 2 薄膜制备及分析方法 | 第25-34页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第25-29页 |
| ·电子回旋共振等离子体增强有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)系统 | 第25-27页 |
| ·影响电子回旋共振等离子体增强有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)系统沉积制备实验样品的主要因素 | 第27-28页 |
| ·主要实验参数 | 第28-29页 |
| ·GaN和AlN压电薄膜样品的测试与分析手段 | 第29-34页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第29-30页 |
| ·反射高能电子衍射谱(RHEED) | 第30-31页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31-32页 |
| ·电子显微探针分析(EPMA) | 第32页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第32-33页 |
| ·霍尔效应(Hall Effect) | 第33-34页 |
| 3 自支撑金刚石厚膜基片 | 第34-42页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·自支撑金刚石厚膜基片 | 第34-37页 |
| ·自支撑金刚石厚膜基片的预处理过程 | 第37-42页 |
| ·激光切割 | 第38页 |
| ·手工机械抛光 | 第38-41页 |
| ·化学处理 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 4 电子回旋共振等离子体增强有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)系统在自支撑金刚石厚膜上沉积GaN薄膜及其性能研究 | 第42-76页 |
| ·不同沉积温度下GaN薄膜的性能分析 | 第42-53页 |
| ·不同沉积温度对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第44-45页 |
| ·改变沉积温度对GaN样品薄膜XRD的测试分析 | 第45-48页 |
| ·不同基片温度对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| ·改变基片沉积温度对GaN样品薄膜光学性能的影响 | 第49-51页 |
| ·不同基片温度对GaN薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| ·不同镓源流量(TMGa)条件下GaN薄膜的特性分析 | 第53-60页 |
| ·不同镓源流量(TMGa)条件对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第53-55页 |
| ·不同镓源流量(TMGa)条件对GaN薄膜XRD结果的影响 | 第55-57页 |
| ·不同镓源流量(TMGa)条件对GaN薄膜形貌的影响 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| ·不同N_2流量下GaN薄膜样品各项性能的分析 | 第60-69页 |
| ·不同N_2流量对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第60-62页 |
| ·N_2流量对GaN薄膜XRD结果的影响 | 第62-64页 |
| ·N_2流量对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第64-65页 |
| ·不同N_2流量对GaN薄膜电学性能的影响 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| ·改变缓冲层条件时对GaN薄膜样品各项性能的研究 | 第69-75页 |
| ·不同缓冲层对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第69-71页 |
| ·不同缓冲层条件对GaN薄膜XRD结果的影响 | 第71-73页 |
| ·缓冲层条件对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第73-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 5 电子回旋共振等离子体增强有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)法在自支撑金刚石厚膜上沉积AlN薄膜及其性能研究 | 第76-92页 |
| ·不同沉积温度下AlN薄膜的性能分析 | 第77-84页 |
| ·不同沉积温度对AlN薄膜RHEED结果的影响 | 第78-80页 |
| ·不同沉积温度对AlN薄膜XRD结果的影响 | 第80-81页 |
| ·不同沉积温度对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第81-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| ·不同N_2气体源流量条件下AlN的特性分析 | 第84-91页 |
| ·不同N_2气体源流量的条件下对AlN薄膜XRD结果的影响 | 第85-87页 |
| ·不同N_2源流量条件对AlN薄膜形貌的影响 | 第87-89页 |
| ·不同N_2源流量条件对AlN薄膜成分的影响 | 第89-90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 结论 | 第92-93页 |
| 尚存在的问题及展望 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-104页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第104-107页 |
| 创新点摘要 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 作者简介 | 第109-110页 |
