| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·ZnO的结构、基本性质及应用 | 第10-18页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-12页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-17页 |
| ·ZnO的应用 | 第17-18页 |
| ·ZnOSe半导体合金的研究进展 | 第18-22页 |
| ·基于ZnO的半导体合金 | 第18-19页 |
| ·ZnOSe合金的制备及性质 | 第19-22页 |
| ·ZnO中的缺陷及p型掺杂 | 第22-24页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第22-23页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第23-24页 |
| ·本文的研究思路 | 第24-26页 |
| 第二章 实验原理、过程及表征方法 | 第26-38页 |
| ·磁控溅射技术 | 第26-31页 |
| ·磁控溅射原理 | 第26-29页 |
| ·实验设备 | 第29-30页 |
| ·实验过程 | 第30-31页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第31-35页 |
| ·PLD原理 | 第31-33页 |
| ·实验设备 | 第33-34页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·性能表征 | 第35-38页 |
| 第三章 磁控溅射制备ZnOSe合金薄膜 | 第38-44页 |
| ·衬底温度对ZnOSe薄膜的影响 | 第38-41页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对薄膜Se含量的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第40-41页 |
| ·O_2分压对ZnOSe薄膜的影响 | 第41-43页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第41-42页 |
| ·O_2分压对Se含量的影响 | 第42-43页 |
| ·O_2分压对能带的影响 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 N掺杂的p型ZnOSe合金薄膜 | 第44-52页 |
| ·N掺杂ZnOSe合金薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·N掺杂ZnOSe合金薄膜的结构和性能表征 | 第45-50页 |
| ·N掺杂ZnOSe合金薄膜的晶体结构 | 第45-47页 |
| ·N掺杂ZnOSe合金薄膜的光学性能 | 第47-48页 |
| ·N掺杂ZnOSe合金薄膜的电学性能 | 第48页 |
| ·N掺杂ZnOSe合金薄膜中元素的化学状态 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 Na掺杂的p型ZnOSe合金薄膜 | 第52-64页 |
| ·衬底温度对Na掺杂的ZnOSe合金薄膜的影响 | 第52-54页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第52页 |
| ·衬底温度对薄膜晶体结构的影响 | 第52-53页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第53-54页 |
| ·O_2 压强对Na掺杂的ZnOSe合金薄膜的影响 | 第54-56页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第54-55页 |
| ·O_2压强对薄膜晶体结构的影响 | 第55页 |
| ·O_2压强对薄膜光学性能的影响 | 第55-56页 |
| ·退火温度对Na掺杂的ZnOSe合金薄膜的影响 | 第56-60页 |
| ·退火处理实验过程 | 第56页 |
| ·退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第56-57页 |
| ·退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第57-58页 |
| ·退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第58页 |
| ·退火温度对薄膜发光性能的影响 | 第58-59页 |
| ·薄膜中元素的化学状态 | 第59-60页 |
| ·退火气氛对Na掺杂的ZnOSe合金薄膜的影响 | 第60-62页 |
| ·退火处理实验过程 | 第60页 |
| ·退火气氛对薄膜晶体结构的影响 | 第60-61页 |
| ·退火气氛对薄膜光学性能的影响 | 第61页 |
| ·退火气氛对薄膜表面形貌的影响 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-66页 |
| ·全文总结 | 第64页 |
| ·论文创新点 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 个人简历 | 第74-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第76页 |