| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-26页 |
| 2．1 肖特基接触（整流接触） | 第9-18页 |
| 2．1．1 功函数和电子亲和势 | 第9页 |
| 2．1．2 肖特基势垒的形成 | 第9-14页 |
| 2．1．3 肖特基势垒的电流输送理论 | 第14-17页 |
| 2．1．4 肖特基势垒电容 | 第17-18页 |
| 2．2 欧姆接触 | 第18-20页 |
| 2．3 硅外延技术的发展 | 第20-24页 |
| 2．3．1 常温常压CVD | 第21-22页 |
| 2．3．2 极低压CVD | 第22-23页 |
| 2．3．3 超高真空CVD生长技术 | 第23-24页 |
| 2．4 硅基肖特基二极管的研究现状 | 第24-26页 |
| 第三章 硅基高频肖特基二极管的设计考虑 | 第26-31页 |
| 3．1 肖特基二极管结构及等效电路 | 第26-27页 |
| 3．2 截止频率f_c | 第27-28页 |
| 3．3 设计考虑 | 第28-31页 |
| 3．3．1 半导体材料的选择 | 第28页 |
| 3．3．2 外延层参数的确定 | 第28-30页 |
| 3．3．3 势垒直径Φ_1 | 第30页 |
| 3．3．4 SiO_2钝化膜的厚度d及搭接金属的直径Φ_2 | 第30-31页 |
| 第四章 掩模版图的设计 | 第31-35页 |
| 第五章 薄硅外延片的生长 | 第35-47页 |
| 5．1 器件对外延片的要求 | 第35-36页 |
| 5．2 亚微米硅外延片的生长 | 第36-40页 |
| 5．2．1 实验设备 | 第36-38页 |
| 5．2．2 外延生长工艺 | 第38-40页 |
| 5．3 实验结果与分析 | 第40-47页 |
| 5．3．1 外延片表面形貌测试结果及分析 | 第40-43页 |
| 5．3．2 扩展电阻测试结果 | 第43页 |
| 5．3．3 外延生长小结 | 第43-47页 |
| 第六章 肖特基二极管的工艺设计 | 第47-56页 |
| 6．1 外延片准备 | 第47页 |
| 6．2 氧化 | 第47-50页 |
| 6．2．1 氧化膜的作用 | 第47-48页 |
| 6．2．2 SiO_2的制备方法、特点及应用 | 第48-49页 |
| 6．2．3 氧化工艺的选择 | 第49-50页 |
| 6．2．4 氧化过程 | 第50页 |
| 6．2．5 关于氧化工艺的一点说明 | 第50页 |
| 6．3 第一次光刻（光刻势垒窗口） | 第50-52页 |
| 6．4 蒸势垒金属Al | 第52-53页 |
| 6．5 第二次光刻（反刻电极） | 第53-54页 |
| 6．6 背面腐蚀 | 第54页 |
| 6．7 背面镀Al | 第54-55页 |
| 6．8 合金化 | 第55-56页 |
| 第七章 二极管性能测试 | 第56-64页 |
| 7．1 正向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第56-58页 |
| 7．2 反向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第58-60页 |
| 7．3 相关参数的计算 | 第60-63页 |
| 7．3．1 二极管的理想因子n（T=300k） | 第60页 |
| 7．3．2 Al-Si接触的势垒高度V_b（T=300k） | 第60-61页 |
| 7．3．3 Al-Si接触的内建电势V_（bi） | 第61页 |
| 7．3．4 二极管零偏下耗尽层宽度X_s | 第61页 |
| 7．3．5 二极管零偏压下结电容C_（jO） | 第61-62页 |
| 7．3．6 二极管的串联电阻R_s | 第62页 |
| 7．3．7 二极管的截止频率f_c | 第62-63页 |
| 7．3．8 正向导通电压V_F | 第63页 |
| 7．3．9 反向击穿电压V_R | 第63页 |
| 7．4 结果分析 | 第63-64页 |
| 第八章 总结及建议 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附： 硕士期间发表的论文 | 第70页 |