| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·本选题背景及意义 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本课题的主要研究内容和研究重点 | 第13页 |
| ·研究工具 | 第13-15页 |
| ·扫描电子显微分析(SEM) | 第13-14页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第14页 |
| ·紫外-可见光光谱分析 | 第14-15页 |
| 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 增透减反射涂层的原理和制备方法 | 第16-25页 |
| ·增透减反射的原理 | 第16-17页 |
| ·增透减反射涂层的制备方法 | 第17-24页 |
| ·真空蒸镀沉积 | 第17-18页 |
| ·溅射沉积 | 第18-22页 |
| ·热氧化法 | 第22页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第22页 |
| ·化学气相沉积 | 第22-24页 |
| 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术 | 第25-32页 |
| ·等离子体简介 | 第25-27页 |
| ·等离子体的发展历史和应用 | 第25页 |
| ·非平衡等离子体及其应用 | 第25-27页 |
| ·等离子体化学沉积技术的介绍 | 第27-28页 |
| ·等离子体化学沉积技术的沉积机理 | 第27页 |
| ·PECVD技术的优点 | 第27-28页 |
| ·射频等离子体的产生 | 第28-31页 |
| ·射频等离子体放电的阻抗匹配原理 | 第28-29页 |
| ·射频电源的输出效率 | 第29-30页 |
| ·射频等离子体的放电装置 | 第30-31页 |
| 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 实验设备的设计 | 第32-41页 |
| ·真空系统的获得和测量 | 第32-37页 |
| ·射频电源 | 第37-39页 |
| ·本实验的射频电源介绍 | 第37页 |
| ·电极的选取 | 第37-39页 |
| ·水冷装置 | 第39页 |
| ·进气装置 | 第39-40页 |
| ·加热装置 | 第40页 |
| 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 实验工艺及实验流程 | 第41-44页 |
| ·实验材料的选取 | 第41页 |
| ·基体材料的预处理 | 第41页 |
| ·SiO_2增透减反射涂层的制备工艺流程 | 第41-43页 |
| 本章小结 | 第43-44页 |
| 第六章 SiO_2增透减反射涂层的实验结果研究 | 第44-53页 |
| ·真空系统压强选择 | 第44页 |
| ·不同射频功率下的实验研究 | 第44-49页 |
| ·不锈钢基底上制备SiO_2增透减反射涂层 | 第45-47页 |
| ·玻璃衬底上制备SiO_2增透减反射涂层 | 第47页 |
| ·SiO_2增透减反射涂层的结构分析 | 第47-49页 |
| ·不同气体流量的配比下的实验研究 | 第49-51页 |
| ·电极间距的影响 | 第51页 |
| ·沉积时间的选择 | 第51页 |
| ·工艺参数的选择 | 第51-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |