| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·石墨烯材料概述 | 第7-10页 |
| ·碳基材料 | 第7-9页 |
| ·石墨烯的晶格结构 | 第9-10页 |
| ·石墨烯的其他衍生物 | 第10页 |
| ·石墨烯的性质 | 第10-12页 |
| ·石墨烯的力学性质 | 第10-11页 |
| ·石墨烯的电学性质 | 第11页 |
| ·石墨烯的其他性质 | 第11-12页 |
| ·本课题的选题依据和主要研究内容 | 第12-13页 |
| ·论文选题的目的及意义 | 第12页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 石墨烯的生长与表征方法 | 第13-21页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·碳化硅基石墨烯材料的生长机理 | 第13-15页 |
| ·在 SiC 衬底外延石墨烯生长机理 | 第14-15页 |
| ·工艺路线 | 第15页 |
| ·SiC 基石墨烯材料的表征方法 | 第15-19页 |
| ·SiC 基石墨烯材料的确认 | 第16-18页 |
| ·原子力显微镜表征 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 用于生长大面积石墨烯的 3C-SiC 外延层残余应力测试 | 第21-27页 |
| ·在 3C-SiC 外延层上生长大面积石墨烯的意义 | 第21页 |
| ·薄膜残余应力测试与表征概况 | 第21页 |
| ·Raman 光谱法测试 3C-SiC 外延薄膜残余应力 | 第21-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第四章 在 3C-SiC 上外延生长石墨烯的工艺研究 | 第27-35页 |
| ·真空热解法 | 第27-30页 |
| ·改进的热解法 | 第30页 |
| ·实验结果 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第五章 侧栅石墨烯晶体管的仿真 | 第35-49页 |
| ·侧栅石墨烯晶体管介绍 | 第35-37页 |
| ·基本概念 | 第35页 |
| ·工作原理及分类 | 第35-36页 |
| ·主要应用领域 | 第36-37页 |
| ·侧栅石墨烯晶体管制作方法 | 第37-38页 |
| ·ISE TCAD 简介 | 第38-39页 |
| ·侧栅石墨烯晶体管基本模型的选取 | 第39-40页 |
| ·石墨烯材料基本参数的选取 | 第40-41页 |
| ·仿真结果 | 第41-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 研究成果 | 第56-57页 |
