| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-10页 |
| 插图清单 | 第10-12页 |
| 表格清单 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| ·透明导电材料 | 第13-16页 |
| ·透明导电材料介绍 | 第13-14页 |
| ·透明导电材料的发展 | 第14-16页 |
| ·透明导电材料的制备技术 | 第16-18页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第16-17页 |
| ·溅射镀膜 | 第17页 |
| ·化学气相沉积 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第18-20页 |
| ·ZnO 薄膜的研究进展 | 第20-23页 |
| ·ZnO 的一元掺杂 | 第20-23页 |
| ·ZnO 的二元共掺杂 | 第23页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第23-24页 |
| ·本文研究的目的、内容和创新点 | 第24-26页 |
| ·研究目的 | 第24-25页 |
| ·研究内容 | 第25页 |
| ·本文的创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 Al、Sn 共掺杂 ZnO 薄膜样品的制备及表征 | 第26-40页 |
| ·实验靶材的制备 | 第26-29页 |
| ·磁控溅射技术 | 第29-32页 |
| ·直流放电和射频放电原理 | 第29-30页 |
| ·溅射现象与溅射机理 | 第30-31页 |
| ·磁控溅射原理 | 第31-32页 |
| ·Al、Sn 共掺杂 ZnO 薄膜的制备 | 第32-34页 |
| ·实验设备简介 | 第32-33页 |
| ·实验材料 | 第33页 |
| ·衬底清洗 | 第33-34页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第34页 |
| ·薄膜表征方法与设备 | 第34-39页 |
| ·X 射线衍射分析仪(XRD) | 第34-35页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| ·X 射线光电子能谱仪(XPS) | 第36-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第37-38页 |
| ·紫外-可见分光度计 | 第38页 |
| ·四探针测试仪 | 第38页 |
| ·材料表面性能测试仪 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 磁控溅射法制备 ZnO:Al-Sn 薄膜及其性能研究 | 第40-61页 |
| ·溅射气压与 ZATO 薄膜性能 | 第40-42页 |
| ·溅射功率与 ZATO 薄膜性能 | 第42-47页 |
| ·溅射功率对 ZATO 薄膜结构的影响 | 第42-44页 |
| ·溅射功率与 ZATO 薄膜表面形貌 | 第44-45页 |
| ·溅射功率与 ZATO 薄膜电阻率 | 第45-46页 |
| ·溅射功率与 ZATO 薄膜光学性能 | 第46-47页 |
| ·氧氩比对 ZATO 薄膜性能的影响 | 第47-54页 |
| ·氧氩比对 ZATO 薄膜结构与沉积速率的影响 | 第49-52页 |
| ·氧氩比对 ZATO 薄膜光电性能的影响 | 第52-54页 |
| ·退火对 ZATO 薄膜性能的影响 | 第54-59页 |
| ·退火气氛与 ZATO 薄膜结构 | 第54-56页 |
| ·退火气氛与 ZATO 薄膜电学性能 | 第56-57页 |
| ·退火温度与 ZATO 薄膜结构 | 第57-58页 |
| ·退火工艺与 ZATO 薄膜电学性能 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 不同 Sn 浓度对 ZnO:Al-Sn 薄膜性能的影响 | 第61-70页 |
| ·不同 Sn 浓度与 ZATO 薄膜结构形貌 | 第61-64页 |
| ·不同 Sn 浓度与 ZATO 薄膜光学性能 | 第64-65页 |
| ·不同 Sn 浓度与 ZATO 薄膜电学性能 | 第65-66页 |
| ·ZATO 薄膜的 XPS 分析 | 第66-67页 |
| ·ZATO 薄膜的膜基结合力 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79-80页 |
