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氧化锡及其锑掺杂薄膜的制备、结构和光致发光性质研究

符号表第1-9页
摘要第9-12页
ABSTRACT第12-16页
第一章 引言第16-39页
 第一节 概述第16-17页
 第二节 二氧化锡材料的应用第17-18页
 第三节 半导体材料的光致发光原理第18-24页
  一.带间的直接辐射复合跃迁过程第19页
  二.带间的间接辐射复合跃迁第19-20页
  三.自由激子复合跃迁发光第20页
  四.束缚激子辐射复合跃迁发光(BE)第20-21页
  五.能带与杂质能级之间的辐射复合(FB)第21-22页
  六.施主-受主对辐射复合过程(DAP)第22-24页
 第四节 氧化锡材料的光致发光性质研究进展第24-29页
 第五节 二氧化锡材料的性质第29-33页
  一.二氧化锡的结构性质第29-30页
  二.二氧化锡的电学特性第30-32页
  三.二氧化锡的光学特性第32-33页
 第六节 选题动机第33-35页
 本章参考文献第35-39页
第二章 氧化锡薄膜的制备及测试方法第39-52页
 第一节 概述第39-41页
  一.喷涂法(spray pyrolysis)第39页
  二.溶胶-凝胶法(sol-gel)第39-40页
  三.化学气相沉积法(CVD)第40页
  四.物理气相沉积法(PVD)第40-41页
 第二节 常压化学气相沉积法(APCVD)第41-42页
 第三节 射频磁控溅射法第42-47页
  一.溅射原理第42-45页
  二.溅射系统第45-47页
 第四节 测试分析方法第47-51页
  一.X射线衍射(XRD)方法第47页
  二.X射线光电子能谱(XPS)第47-49页
  三.薄膜表面形貌分析第49-50页
  四.薄膜光学性质测量第50-51页
 本章参考文献第51-52页
第三章 APCVD方法制备氧化锡薄膜的结构及光学、电学性质第52-68页
 第一节 SnO_2薄膜的制备第52-53页
  一.衬底处理第52页
  二.样品制备第52-53页
 第二节 SnO_2薄膜的结构性质第53-59页
 第三节 SnO_2薄膜的电学性质第59-60页
 第四节 SnO_2薄膜的光学性质第60-62页
 第五节 SnO_2薄膜的光致发光性质第62-66页
 本章参考文献第66-68页
第四章 锑掺杂氧化锡薄膜的制备及其结构性质第68-88页
 第一节 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备第68-69页
  一.掺杂陶瓷靶的制备第68页
  二.Sb掺杂SnO_2薄膜样品的制备第68-69页
 第二节 SnO_2:Sb薄膜的XPS谱分析第69-72页
 第三节 衬底材料对SnO_2:Sb薄膜结构性质的影响第72-75页
 第四节 制备条件对SnO_2:Sb薄膜结构性质的影响第75-81页
  一.溅射功率对薄膜结构性质的影响第75-78页
  二.氧分压对薄膜结构性质的影响第78-81页
 第五节 掺杂浓度对SnO_2:Sb薄膜结构性质的影响第81-83页
 第六节 退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构性质的影响第83-87页
 本章参考文献第87-88页
第五章 锑掺杂氧化锡薄膜的光学及光致发光性质第88-110页
 第一节 掺杂浓度及退火处理对SnO_2:Sb薄膜光学性质的影响第88-95页
  一.掺杂浓度对薄膜光学性质的影响第89-90页
  二.退火温度对薄膜光学性质的影响第90-95页
 第二节 掺杂浓度及退火处理对SnO_2:Sb薄膜光致发光性质的影响第95-102页
  一.掺杂浓度对薄膜光致发光性质的影响第95-99页
  二.退火处理对薄膜光致发光性质的影响第99-102页
 第三节 制备条件及退火氛围对SnO_2:Sb薄膜光致发光性质的影响第102-106页
  一.溅射功率对SnO_2:Sb薄膜光致发光特性的影响第103-104页
  二.氧分压对薄膜光致发光特性的影响第104-105页
  三.退火氛围对薄膜光致发光特性的影响第105-106页
 第四节 Sb掺杂及测量温度对SnO_2薄膜光致发光特性的影响第106-109页
  一.Sb掺杂对SnO_2薄膜光致发光特性的影响第106-108页
  二.测量温度对薄膜光致发光特性的影响第108-109页
 本章参考文献第109-110页
第六章 结论第110-112页
博士期间发表论文目录第112-115页
致谢第115-116页
学位论文评阅及答辩情况表第116页

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