摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-17页 |
·InAlN 材料研究背景及潜在优势 | 第7-9页 |
·InAlN 材料的研究进展 | 第9-13页 |
·国外研究进展 | 第9-12页 |
·国内研究进展 | 第12-13页 |
·CFD 仿真的研究意义和现状 | 第13-14页 |
·本文研究内容 | 第14-17页 |
第二章 InAlN 材料特性与生长技术 | 第17-27页 |
·InAlN 材料基本特性 | 第17-19页 |
·晶格结构 | 第17-18页 |
·材料特性 | 第18-19页 |
·材料生长的关键技术 | 第19-22页 |
·AlN 的 MOCVD 生长 | 第19-20页 |
·InN 的 MOCVD 生长 | 第20-21页 |
·InAlN 的 MOCVD 生长 | 第21-22页 |
·InAlN 生长的 PMOCVD 技术 | 第22-26页 |
·PMOCVD 工艺原理 | 第22-24页 |
·PMOCVD 生长工艺技术 | 第24-26页 |
·本章小结 | 第26-27页 |
第三章 计算流体动力学理论基础 | 第27-39页 |
·CFD 的基本方程 | 第27-30页 |
·基本方程最一般形式 | 第27-28页 |
·柱坐标系中的基本方程 | 第28-30页 |
·FLUENT 仿真软件 | 第30-34页 |
·FLUENT 的功能模块 | 第30-31页 |
·FLUENT 的分析过程 | 第31-34页 |
·UDF 模块 | 第34-37页 |
·FLUENT 脉冲的加入—FLUENT 的 UDF 功能 | 第34-35页 |
·UDF 函数的编写 | 第35-37页 |
·本章小结 | 第37-39页 |
第四章 PMOCVD 生长 InAlN 的 FLUENT 模拟仿真 | 第39-61页 |
·PMOCVD 反应室 | 第39-40页 |
·脉冲波形的实现 | 第40-43页 |
·脉冲函数文件 | 第40-43页 |
·FLUENT 脉冲波形 | 第43页 |
·实验脉冲时序图 | 第43页 |
·模拟的基准条件 | 第43-47页 |
·不同周期密度场分布 | 第44页 |
·不同周期压强分布 | 第44-45页 |
·不同周期速度分布 | 第45-46页 |
·不同周期温度分布 | 第46-47页 |
·连续与脉冲的 FLUENT 模拟结果对比分析 | 第47-48页 |
·单工艺参数变量的 FLUENT 模拟研究 | 第48-60页 |
·温度对流场分布的影响 | 第48-52页 |
·压强对流场分布的影响 | 第52-56页 |
·TMIn 脉冲宽度对流场分布的影响 | 第56-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第五章 本文的工作总结 | 第61-63页 |
致谢 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第71-72页 |