| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究的科学意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-14页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第2章 实验方法 | 第15-23页 |
| ·薄膜制备 | 第15-17页 |
| ·实验设备 | 第15-16页 |
| ·衬底清洗 | 第16-17页 |
| ·多层膜的制备方法 | 第17页 |
| ·测试与分析方法 | 第17-23页 |
| ·膜厚测量 | 第18页 |
| ·晶粒尺寸和晶化率 | 第18-19页 |
| ·XRD测试 | 第19-20页 |
| ·多层薄膜剖面结构 | 第20页 |
| ·光学特性测试 | 第20-21页 |
| ·电学特性测试 | 第21-23页 |
| 第3章 a-Si:H(nc-Si:H)/a-Si C:H多层薄膜的制备与结构表征 | 第23-35页 |
| ·a-Si:H/a-SiC:H多层薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·尺寸可控nc-Si:H/a-SiC:H多层薄膜的形成 | 第24-26页 |
| ·a-Si:H/a-SiC:H多层薄膜的结构表征 | 第26-35页 |
| ·TEM测试 | 第26-28页 |
| ·XRD测试 | 第28-30页 |
| ·Raman测试 | 第30-35页 |
| 第4章 nc-Si:H/a-SiC:H多层结构薄膜的光吸收特性 | 第35-44页 |
| ·nc-Si:H势阱层厚度对多层结构薄膜光吸收特性的影响 | 第35-39页 |
| ·a-SiC:H势垒层厚度对多层结构薄膜光吸收特性的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对多层结构薄膜光吸收特性的影响 | 第40-42页 |
| ·退火时间对多层结构薄膜光吸收特性的影响 | 第42-44页 |
| 第5章 多层结构薄膜的电子隧穿输运 | 第44-49页 |
| ·a-Si:H/a-SiC:H多层薄膜的共振隧穿特性 | 第45-47页 |
| ·nc-Si:H/a-SiC:H多层薄膜的纵向电子隧穿输运 | 第47-49页 |
| 第6章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第57页 |
