| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·本文的意义和目的 | 第8页 |
| ·锑化物半导体材料的发展现状以及应用 | 第8-16页 |
| ·锑化物材料其它比较重要的应用 | 第16页 |
| ·本文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 MBE外延技术和理论基础 | 第17-29页 |
| ·分子束外延技术 | 第17-20页 |
| ·分子束外延的特点 | 第20页 |
| ·分子束外延运作机理 | 第20-26页 |
| ·MBE生长GaSb/GaSb、GaAs/GaSb薄膜影响因素 | 第26-29页 |
| 第三章 GaSb薄膜的外延生长 | 第29-37页 |
| ·外延薄膜生长过程 | 第29-30页 |
| ·MBE各源束流的校准 | 第30-32页 |
| ·缓冲层的生长速率 | 第32-33页 |
| ·RHEED监控薄膜外延生长过程 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 GaSb外延薄膜的物性研究 | 第37-45页 |
| ·材料测试表征方法 | 第37-40页 |
| ·同质外延GaSb薄膜XRD测试 | 第40-41页 |
| ·同质外延GaSb薄膜PL测试 | 第41页 |
| ·异质外延薄膜GaAs/GaSb表面性质和能谱研究 | 第41-42页 |
| ·GaSb异质外延材料的电学性能研究 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |