| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·VO_x薄膜的应用 | 第9-14页 |
| ·红外探测器 | 第10-11页 |
| ·光开关、光存储领域 | 第11-12页 |
| ·太赫兹 THz 领域 | 第12-14页 |
| ·本文研究的意义和内容 | 第14-15页 |
| 第二章 VO_x薄膜理化性质、制备工艺、表征方法 | 第15-27页 |
| ·金属元素钒及其氧化物 | 第15-19页 |
| ·五氧化二钒（V2O5） | 第16-17页 |
| ·三氧化二钒（V2O3） | 第17页 |
| ·二氧化钒（VO_2） | 第17-19页 |
| ·VO_x薄膜制备工艺 | 第19-23页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第19-20页 |
| ·溅射镀膜 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21-22页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第22-23页 |
| ·VO_x薄膜宏观、微观特性分析手段 | 第23-27页 |
| ·电学特性的四探针测试 | 第23-24页 |
| ·太赫兹时域系统测试光学特性 | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜观察微观形貌 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射仪分析薄膜结晶状况 | 第26页 |
| ·X 射线光电子能谱分析薄膜组分及价态 | 第26-27页 |
| 第三章 氧化法结合快速热处理工艺制备相变特性 VO_x薄膜 | 第27-33页 |
| ·VO_x薄膜制备工艺流程 | 第27-31页 |
| ·磁控溅射镀膜机溅射沉积金属 V 薄膜过程 | 第27-29页 |
| ·快速热处理制备 VO_x薄膜过程 | 第29-30页 |
| ·硅衬底的半导体清洗工艺 | 第30-31页 |
| ·VO_x薄膜性能测试 | 第31-33页 |
| ·四探针法测试电学特性 | 第31页 |
| ·微观测试 | 第31页 |
| ·光学特性的 THs-TDS 测试 | 第31-33页 |
| 第四章 实验结果分析 | 第33-54页 |
| ·厚度一定的 VO_x薄膜的最佳快速热处理条件研究 | 第33-41页 |
| ·热致相变性能对比 | 第34-37页 |
| ·VO_x薄膜结晶状况 | 第37-38页 |
| ·VO_x薄膜表面形貌 | 第38-39页 |
| ·VO_x薄膜成分组成 | 第39页 |
| ·VO_x薄膜热致相变的光学特性 | 第39-41页 |
| ·VO_x薄膜厚度对其相变特性的影响 | 第41-48页 |
| ·热致相变性能对比 | 第42-45页 |
| ·VO_x薄膜结晶状况 | 第45-46页 |
| ·VO_x薄膜表面形貌 | 第46-47页 |
| ·VO_x薄膜成分组成 | 第47-48页 |
| ·VO_x薄膜光学相变特性 | 第48页 |
| ·关于 VO_x薄膜光致相变的研究 | 第48-53页 |
| ·VO_x薄膜光致相变特性 | 第48-50页 |
| ·热致相变与光致相变的关系 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 实验总结与研究展望 | 第54-57页 |
| ·实验总结 | 第54-55页 |
| ·研究展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |