| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-18页 |
| 1.1 氮化物材料背景介绍 | 第13-14页 |
| 1.2 氮化锌薄膜的性质 | 第14-16页 |
| 1.2.1 结构性质 | 第14-16页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第16页 |
| 1.2.3 电学性质 | 第16页 |
| 1.3 研究目的及文章内容结构 | 第16-18页 |
| 第二章 氮化锌薄膜的生长和测试方法 | 第18-23页 |
| 2.1 氮化锌薄膜的制备方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 溅射法 | 第18页 |
| 2.1.2 真空蒸镀法 | 第18-19页 |
| 2.1.3 分子束外延法(MBE) | 第19页 |
| 2.1.4 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 2.2 氮化锌薄膜的表征方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 结构分析 | 第20页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌分析 | 第20-21页 |
| 2.2.3 薄膜的成分分析 | 第21-22页 |
| 2.2.4 薄膜的光学性质测试 | 第22-23页 |
| 第三章 MOCVD方法生长薄膜的原理与操作步骤 | 第23-29页 |
| 3.1 MOCVD系统原理 | 第23页 |
| 3.2 MOCVD系统结构 | 第23-25页 |
| 3.3 MOCVD的优势和不足 | 第25-27页 |
| 3.4 薄膜制备过程 | 第27-29页 |
| 3.4.1 实验前准备工作 | 第27页 |
| 3.4.2 薄膜的制备步骤 | 第27-29页 |
| 第四章 MOCVD方法生长Zn_3N_2的性质的分析 | 第29-60页 |
| 4.1 生长温度对氮化锌薄膜的影响 | 第29-39页 |
| 4.1.1 衬底温度对氮化锌薄膜结构的影响 | 第29-32页 |
| 4.1.2 衬底温度对氮化锌薄膜表面形貌的影响 | 第32-34页 |
| 4.1.3 衬底温度对氮化锌薄膜成分的影响 | 第34-36页 |
| 4.1.4 衬底温度对氮化锌薄膜光学带隙的影响 | 第36-38页 |
| 4.1.5 生长温度对Zn_3N_2电学性质的影响 | 第38-39页 |
| 4.2 反应室压强对氮化锌薄膜生长的影响 | 第39-43页 |
| 4.2.1 压强对氮化锌结构的影响 | 第39-41页 |
| 4.2.2 压强对Zn_3N_2光学带隙的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.3 压强对Zn_3N_2电学性质的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 Ⅴ/Ⅱ族比例对氮化锌薄膜的影响 | 第43-47页 |
| 4.3.1 Ⅴ/Ⅱ族比例对薄膜结构性质的影响 | 第43-45页 |
| 4.3.2 Ⅴ/Ⅱ族比例对氮化锌薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.3 Ⅴ/Ⅱ族比例对氮化锌光学带隙的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 退火对氮化锌薄膜性质的影响 | 第47-52页 |
| 4.4.1 退火对氮化锌成分的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.2 退火对Zn_3N_2光学带隙的影响 | 第49-50页 |
| 4.4.3 退火对氮化锌薄膜的光致发光的影响 | 第50-52页 |
| 4.5 氮化锌薄膜的阻变特性研究 | 第52-60页 |
| 4.5.1 Au/Zn_3N_2/Au器件的制备 | 第53-54页 |
| 4.5.2 Au/Zn_3N_2/Au器件的性能测试 | 第54-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第69页 |
