| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| CONTENTS | 第9-11页 |
| 图表目录 | 第11-14页 |
| 主要符号表 | 第14-15页 |
| 1 绪论 | 第15-29页 |
| ·研究背景与意义 | 第15-18页 |
| ·GaN基本性质和应用 | 第18-21页 |
| ·GaN的基本性质 | 第18-20页 |
| ·GaN的应用 | 第20-21页 |
| ·GaN的研究历史与现状 | 第21-28页 |
| ·GaN的研究进程 | 第21-24页 |
| ·SiC衬底上外延GaN的研究进展 | 第24-28页 |
| ·SiC衬底上外延GaN的难题 | 第28页 |
| ·本文的研究内容与思路 | 第28-29页 |
| 2 GaN薄膜生长设备和表征手段 | 第29-45页 |
| ·GaN薄膜外延的主要方法 | 第29-32页 |
| ·Thomas Swan MOCVD生长设备 | 第32-37页 |
| ·表征技术 | 第37-45页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第37-40页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第40-41页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第41-42页 |
| ·拉曼光谱(Raman spectrum) | 第42-43页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第43-45页 |
| 3 6H-SiC衬底原位预处理对GaN外延膜的影响 | 第45-63页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·SiH_4原位预处理对GaN外延膜的影响 | 第46-57页 |
| ·实验 | 第46-49页 |
| ·预处理对GaN外延薄膜性质的影响 | 第49-55页 |
| ·预处理对GaN外延膜性质影响的机制分析 | 第55-57页 |
| ·H_2原位预处理对GaN外延膜影响 | 第57-62页 |
| ·实验 | 第57-58页 |
| ·预处理对GaN外延膜基本性质的影响 | 第58-61页 |
| ·预处理对GaN外延膜性质影响的机制分析 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 4 原位SiN_x掩膜对GaN外延膜的影响及LED的制备 | 第63-80页 |
| ·前言 | 第63-65页 |
| ·原位SiN_x掩膜对GaN外延膜的影响 | 第65-73页 |
| ·实验 | 第65页 |
| ·原位SiN_x掩膜对GaN外延膜基本性质的影响 | 第65-70页 |
| ·原位SiN_x掩膜对GaN外延膜性质影响机制的分析 | 第70-73页 |
| ·6H-SiC衬底上垂直结构LED的特性研究 | 第73-79页 |
| ·GaN外延膜的优化 | 第73-74页 |
| ·6H-SiC衬底上GaN基LED的制备 | 第74-75页 |
| ·6H-SiC衬底上LED的特性研究 | 第75-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 5 6H-SiC衬底上N面GaN的生长 | 第80-89页 |
| ·前言 | 第80-81页 |
| ·6H-SiC衬底上生长N面GaN的特性 | 第81-87页 |
| ·实验 | 第81页 |
| ·6H-SiC衬底上生长N面GaN的特性 | 第81-87页 |
| ·N面GaN基LED的初步研究 | 第87页 |
| ·实验 | 第87页 |
| ·N面GaN基LED的电致发光 | 第87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 6 结论与展望 | 第89-91页 |
| 创新点摘要 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-104页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 作者简介 | 第106-107页 |
