首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究

作者简介第1-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-14页
第一章 绪论第14-30页
   ·研究背景和意义第14-16页
   ·Ⅲ族氮化物半导体材料第16-21页
     ·GaN 的基本性质第16-17页
     ·InN 的基本性质第17-19页
     ·Ⅲ族氮化物合金的晶格常数第19页
     ·禁带宽度、弓参数和光学常数第19-20页
     ·Ⅲ族氮化物的两种极化效应第20-21页
   ·Ⅲ族氮化物的三元合金第21-25页
     ·AlGaN 合金第22-23页
     ·InGaN 合金第23-25页
   ·国内外研究现状第25-26页
   ·Ⅲ族氮化物生长中存在的问题第26-27页
   ·主要研究内容第27-30页
第二章 Ⅲ族氮化物外延层薄膜的生长及表征技术第30-48页
   ·引言第30页
   ·MOCVD 生长体系第30-34页
     ·MOCVD 生长系统第30-31页
     ·MOCVD 生长Ⅲ族氮化物薄膜的机理第31-32页
     ·MOCVD 生长Ⅲ族氮化物薄膜的常规工艺第32-33页
     ·半导体异质外延薄膜生长动力学第33-34页
   ·Ⅲ族氮化物外延生长中的衬底第34-38页
     ·衬底选择的条件第35-36页
     ·常用衬底材料简介第36-38页
     ·衬底对外延层发光特性的影响第38页
   ·Ⅲ族氮化物半导体材料发光特性的表征方法第38-47页
     ·高分辨 X 射线衍射第39-41页
     ·原子力显微镜第41-42页
     ·扫描电子显微镜第42页
     ·光致发光第42-44页
     ·Raman 散射第44-47页
   ·本章小结第47-48页
第三章 低温加高温 AlN 成核层的 AlGaN 外延层生长与表征第48-64页
   ·低温 AlN 成核层对 AlGaN 外延层的生长与表征第48-55页
     ·样品的制备第48-49页
     ·外延层的 XRD 分析第49-53页
     ·外延层的表面形貌分析第53-54页
     ·外延层的光致发光第54-55页
   ·低温加高温 AlN 成核层生长机理的研究第55-56页
   ·自支撑 GaN 衬底上 AlGaN 外延层的生长与表征第56-63页
     ·样品的制备第56-57页
     ·外延层的 XRD 分析第57-60页
     ·外延层的 AFM 和 SEM 分析第60-61页
     ·外延层的 PL 和 Raman 散射分析第61-63页
   ·本章小结第63-64页
第四章 温度对 InGaN 外延层薄膜结晶质量的影响第64-72页
   ·InGaN 外延层薄膜的生长第64-65页
   ·实验结果分析第65-70页
     ·外延层的 XRD 分析第65-67页
     ·AFM 与表面形貌第67-68页
     ·光致发光和 Raman 散射研究第68-70页
   ·本章小结第70-72页
第五章 插入 AlN 成核层结构的 InGaN/GaN MQW LED 光电效率的模拟研究第72-82页
   ·InGaN/GaN MQW LED 的发光原理和模拟方案第72-74页
     ·InGaN/GaN 的发光机理第72页
     ·模拟软件与模拟原理第72-73页
     ·模拟方案第73-74页
   ·模拟结果与讨论第74-80页
     ·InGaN/GaN MQW LED 的阈值电压第74-75页
     ·LED 的发射光谱第75-76页
     ·Auger 电流密度与电压第76-78页
     ·非辐射复合电流密度与电压的关系第78页
     ·多量子阱 IQE 与电压的关系第78-80页
   ·本章小结第80-82页
第六章 GaN 外延层薄膜非谐效应的变温 Raman 散射研究第82-92页
   ·样品制备第82-83页
   ·GaN 外延层薄膜应力的变温 Raman 测试第83-84页
     ·温度对 GaN 外延层薄膜的声子行为分析第83页
     ·a 面 GaN 外延层薄膜的变温 Raman 测试第83-84页
   ·Raman 频移与温度之间关系的研究第84-91页
     ·整个温度范围第84-86页
     ·临界温度的确定第86-87页
     ·高温阶段第87-89页
     ·各声子峰与 E2(high)之间的关系第89-91页
   ·本章小结第91-92页
第七章 InGaN/GaN LED 发光转变的低频噪声表征第92-100页
   ·实验过程第93-94页
   ·实验结果及讨论第94-99页
     ·I-V 特性第94-95页
     ·低频噪声特性第95-99页
   ·本章小结第99-100页
第八章 结束语第100-102页
致谢第102-104页
参考文献第104-116页
攻读博士学位期间的研究成果第116-119页

论文共119页,点击 下载论文
上一篇:电子元器件辐射退化灵敏表征方法研究
下一篇:采用智能天线阵的无线通信系统研究和设计