| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| ·研究背景和意义 | 第14-16页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料 | 第16-21页 |
| ·GaN 的基本性质 | 第16-17页 |
| ·InN 的基本性质 | 第17-19页 |
| ·Ⅲ族氮化物合金的晶格常数 | 第19页 |
| ·禁带宽度、弓参数和光学常数 | 第19-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物的两种极化效应 | 第20-21页 |
| ·Ⅲ族氮化物的三元合金 | 第21-25页 |
| ·AlGaN 合金 | 第22-23页 |
| ·InGaN 合金 | 第23-25页 |
| ·国内外研究现状 | 第25-26页 |
| ·Ⅲ族氮化物生长中存在的问题 | 第26-27页 |
| ·主要研究内容 | 第27-30页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物外延层薄膜的生长及表征技术 | 第30-48页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·MOCVD 生长体系 | 第30-34页 |
| ·MOCVD 生长系统 | 第30-31页 |
| ·MOCVD 生长Ⅲ族氮化物薄膜的机理 | 第31-32页 |
| ·MOCVD 生长Ⅲ族氮化物薄膜的常规工艺 | 第32-33页 |
| ·半导体异质外延薄膜生长动力学 | 第33-34页 |
| ·Ⅲ族氮化物外延生长中的衬底 | 第34-38页 |
| ·衬底选择的条件 | 第35-36页 |
| ·常用衬底材料简介 | 第36-38页 |
| ·衬底对外延层发光特性的影响 | 第38页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料发光特性的表征方法 | 第38-47页 |
| ·高分辨 X 射线衍射 | 第39-41页 |
| ·原子力显微镜 | 第41-42页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第42页 |
| ·光致发光 | 第42-44页 |
| ·Raman 散射 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 低温加高温 AlN 成核层的 AlGaN 外延层生长与表征 | 第48-64页 |
| ·低温 AlN 成核层对 AlGaN 外延层的生长与表征 | 第48-55页 |
| ·样品的制备 | 第48-49页 |
| ·外延层的 XRD 分析 | 第49-53页 |
| ·外延层的表面形貌分析 | 第53-54页 |
| ·外延层的光致发光 | 第54-55页 |
| ·低温加高温 AlN 成核层生长机理的研究 | 第55-56页 |
| ·自支撑 GaN 衬底上 AlGaN 外延层的生长与表征 | 第56-63页 |
| ·样品的制备 | 第56-57页 |
| ·外延层的 XRD 分析 | 第57-60页 |
| ·外延层的 AFM 和 SEM 分析 | 第60-61页 |
| ·外延层的 PL 和 Raman 散射分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 温度对 InGaN 外延层薄膜结晶质量的影响 | 第64-72页 |
| ·InGaN 外延层薄膜的生长 | 第64-65页 |
| ·实验结果分析 | 第65-70页 |
| ·外延层的 XRD 分析 | 第65-67页 |
| ·AFM 与表面形貌 | 第67-68页 |
| ·光致发光和 Raman 散射研究 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 插入 AlN 成核层结构的 InGaN/GaN MQW LED 光电效率的模拟研究 | 第72-82页 |
| ·InGaN/GaN MQW LED 的发光原理和模拟方案 | 第72-74页 |
| ·InGaN/GaN 的发光机理 | 第72页 |
| ·模拟软件与模拟原理 | 第72-73页 |
| ·模拟方案 | 第73-74页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第74-80页 |
| ·InGaN/GaN MQW LED 的阈值电压 | 第74-75页 |
| ·LED 的发射光谱 | 第75-76页 |
| ·Auger 电流密度与电压 | 第76-78页 |
| ·非辐射复合电流密度与电压的关系 | 第78页 |
| ·多量子阱 IQE 与电压的关系 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 GaN 外延层薄膜非谐效应的变温 Raman 散射研究 | 第82-92页 |
| ·样品制备 | 第82-83页 |
| ·GaN 外延层薄膜应力的变温 Raman 测试 | 第83-84页 |
| ·温度对 GaN 外延层薄膜的声子行为分析 | 第83页 |
| ·a 面 GaN 外延层薄膜的变温 Raman 测试 | 第83-84页 |
| ·Raman 频移与温度之间关系的研究 | 第84-91页 |
| ·整个温度范围 | 第84-86页 |
| ·临界温度的确定 | 第86-87页 |
| ·高温阶段 | 第87-89页 |
| ·各声子峰与 E2（high）之间的关系 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第七章 InGaN/GaN LED 发光转变的低频噪声表征 | 第92-100页 |
| ·实验过程 | 第93-94页 |
| ·实验结果及讨论 | 第94-99页 |
| ·I-V 特性 | 第94-95页 |
| ·低频噪声特性 | 第95-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第八章 结束语 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-116页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第116-119页 |
