| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| ·SiC半导体材料简介 | 第11-20页 |
| ·碳化硅单晶简介 | 第11-17页 |
| ·碳化硅材料的优越性 | 第17-20页 |
| ·SiC半导体材料的发展及应用概述 | 第20-27页 |
| ·SiC材料发展史 | 第21-22页 |
| ·SiC功率器件方面的应用 | 第22-24页 |
| ·SiC微波器件的发展 | 第24-27页 |
| ·SiC市场应用现状及预测 | 第27-30页 |
| ·本文主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 4H-SiC外延工艺设计 | 第32-45页 |
| ·SiC薄膜外延技术简介 | 第32-35页 |
| ·CVD法外延设备简介 | 第35-37页 |
| ·4H-SiC外延工艺 | 第37-41页 |
| ·外延反应源耗尽方式 | 第37-40页 |
| ·4H-SiC外延工艺研究 | 第40-41页 |
| ·4H-SiC外延工艺流程 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 4H-SiC外延的关键工艺 | 第45-72页 |
| ·4H-SiC外延台阶生长模式 | 第45-47页 |
| ·生长速率及掺杂浓度和生长源流量的关系 | 第47-51页 |
| ·生长速率和生长源流量的关系 | 第47-48页 |
| ·掺杂浓度和生长源流量的关系 | 第48-51页 |
| ·4H-SiC外延均匀性研究 | 第51-56页 |
| ·4H-SiC外延表面形貌 | 第56-59页 |
| ·4H-SiC外延缺陷研究 | 第59-67页 |
| ·4H-SiC外延的化学腐蚀 | 第60-61页 |
| ·4H-SiC外延中的缺陷 | 第61-67页 |
| ·4°偏角衬底4H-SiC外延工艺研究 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 4H-SiC同质外延薄膜的表征 | 第72-92页 |
| ·4H-SiC晶体质量的表征方法 | 第72-78页 |
| ·高分辨率X射线衍射仪 | 第72-74页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第74-77页 |
| ·Raman散射 | 第77-78页 |
| ·4H-SiC同质外延的表面显微分析 | 第78-82页 |
| ·光学显微镜 | 第78-79页 |
| ·扫面电子显微镜(SEM) | 第79-81页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第81-82页 |
| ·4H-SiC同质外延的厚度表征方法 | 第82-85页 |
| ·4H-SiC同质外延的电学性能表征方法 | 第85-90页 |
| ·汞探针C-V测试 | 第85-87页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第87-89页 |
| ·方阻测量 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 SiC MESFET器件工艺研究及性能测试 | 第92-113页 |
| ·SiC MESFET的外延材料设计及表征 | 第92-96页 |
| ·SiC MESFET器件工艺设计及研究 | 第96-106页 |
| ·SiC MESFET器件测试结果 | 第106-111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 第六章 SiC SBD器件研究及性能测试 | 第113-117页 |
| ·SiC SBD的外延材料设计及表征 | 第113-114页 |
| ·SiC SBD器件测试结果 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第七章 总结 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第128-129页 |