| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·GMR 的原理及发展 | 第9-12页 |
| ·GMR效应产生的基本结构 | 第11-12页 |
| ·GMR效应的应用 | 第12页 |
| ·材料的铁磁性 | 第12-15页 |
| ·非均匀磁性掺杂半导体的电输运特性研究 | 第15-27页 |
| ·Co掺杂的ZnO薄膜的巨磁电阻效应 | 第15-18页 |
| ·Co/ZnO薄膜的结构和磁电阻效应 | 第18-21页 |
| ·Zn_(1-x)Fe_xO_(1-V)磁性半导体薄膜的电输运特性 | 第21-23页 |
| ·Co掺杂ZnO的正磁电阻效应 | 第23-24页 |
| ·过渡金属掺杂ZnO薄膜的巨磁电阻效应 | 第24-26页 |
| ·非均匀半导体薄膜的巨磁电阻效应 | 第26-27页 |
| ·本论文的主要工作 | 第27-29页 |
| 第二章 样品的制备、结构表征和物性测量 | 第29-33页 |
| ·薄膜的制备 | 第29页 |
| ·结构表征、磁性和输运特性测量 | 第29-33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第30-31页 |
| ·台阶仪 | 第31页 |
| ·物理参数测量系统 | 第31-32页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第32-33页 |
| 第三章 非晶态 Ni-CN_x/p-Si 异质结构的物性 | 第33-40页 |
| ·非晶态 Ni-CN_x薄膜的微观结构和成份 | 第33-35页 |
| ·Ni-CN_x/p-Si 异质结构的电输运特性 | 第35-39页 |
| ·Ni-CN_x/p-Si 异质结构的 I V 曲线 | 第35-37页 |
| ·Ni-CN_x/p-Si 异质结构的磁电阻效应 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 TiCoO/p-Si 异质结构的物性 | 第40-48页 |
| ·TiCoO/p-Si 异质结构的表面形貌 | 第40页 |
| ·TiCoO/p-Si 异质结构的的磁性 | 第40-42页 |
| ·TiCoO/p-Si 异质结构的电输运特性 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
