高质量ZnO薄膜的MOCVD外延生长与原位掺杂
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·ZnO材料概述 | 第10-11页 |
| ·ZnO的基本结构性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的掺杂困难 | 第13-15页 |
| ·N掺ZnO的优势 | 第15-18页 |
| ·ZnO的掺杂对生长模式的依赖 | 第18-20页 |
| ·论文的主要研究内容和结构 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 ZnO MOCVD同质外延研究 | 第24-39页 |
| ·引言 | 第24-28页 |
| ·材料制备及测试 | 第28-29页 |
| ·结果分析与讨论 | 第29-37页 |
| ·生长速率和表面形貌分析 | 第29-32页 |
| ·晶体质量和结构分析 | 第32-36页 |
| ·发光特性分析 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 ZnO薄膜MOCVD原位N掺杂研究 | 第39-58页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·材料制备与测试 | 第40-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-55页 |
| ·晶体质量分析 | 第42页 |
| ·振动模式分析 | 第42-48页 |
| ·发光特性分析 | 第48-52页 |
| ·XPS能谱分析 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第四章 ZnO薄膜中Te-N原位共掺研究 | 第58-71页 |
| ·引言 | 第58-60页 |
| ·材料制备与测试 | 第60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-69页 |
| ·晶格质量分析 | 第60-61页 |
| ·电学性质分析 | 第61-62页 |
| ·振动模式分析 | 第62-63页 |
| ·光学性质分析 | 第63-66页 |
| ·实验结果深入讨论 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 ZnTe：O薄膜制备及退火优化研究 | 第71-88页 |
| ·引言 | 第71-79页 |
| ·材料制备与测试 | 第79-80页 |
| ·结果分析与讨论 | 第80-86页 |
| ·晶体结构分析 | 第80-81页 |
| ·合金组分及化学配位状态分析 | 第81-83页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第83-85页 |
| ·发光特性研究 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-88页 |
| 第六章 总结 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 己发表文章 | 第91-92页 |
