| 引言 | 第1-10页 |
| 第一章 FED 的工作原理及其工艺过程 | 第10-18页 |
| ·概述 | 第10页 |
| ·FED 的工作原理 | 第10-12页 |
| ·场致发射的基本理论 | 第10-11页 |
| ·FED 的工作原理 | 第11-12页 |
| ·场发射阵列(FEA)的类型 | 第12-16页 |
| ·FED 显示器件工艺过程的概述 | 第16-17页 |
| ·本项目研究的内容 | 第17-18页 |
| 第二章 工艺实验的方法及内容 | 第18-25页 |
| ·概述 | 第18页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射法的类型 | 第19-21页 |
| ·直流磁控溅射 | 第19页 |
| ·射频磁控溅射 | 第19-20页 |
| ·中频反应磁控溅射 | 第20-21页 |
| ·薄膜的表征技术及内容 | 第21-23页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第21-22页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第22页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第22页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第22页 |
| ·X 射线能量色散谱仪(EDX) | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23页 |
| ·JPGD-1200 磁控溅射镀膜系统的简介 | 第23-25页 |
| 第三章 金属薄膜的制备工艺及薄膜性质的表征 | 第25-35页 |
| ·概述 | 第25-26页 |
| ·铬(Cr)、铜(Cu)薄膜的实验制备 | 第26-27页 |
| ·玻璃基片的清洗 | 第26页 |
| ·实验过程 | 第26-27页 |
| ·实验结果分析 | 第27-35页 |
| ·溅射气压与沉积速率的关系 | 第27-28页 |
| ·溅射功率与沉积速率的关系 | 第28-29页 |
| ·基片温度与薄膜电阻率的关系 | 第29-30页 |
| ·薄膜的附着性能 | 第30-31页 |
| ·Cr、Cu 薄膜的性能测试 | 第31-35页 |
| 第四章 介质薄膜的制备工艺及薄膜性质的表征 | 第35-53页 |
| ·概述 | 第35页 |
| ·射频磁控溅射 SiO_2 薄膜 | 第35-44页 |
| ·SiO_2 薄膜的性质 | 第35-36页 |
| ·Si_O2 薄膜的常用制备方法 | 第36-37页 |
| ·射频磁控溅射制备 SiO_2 薄膜 | 第37-39页 |
| ·实验结果分析 | 第39-44页 |
| ·中频反应磁控溅射制备 Al_2O_3 薄膜 | 第44-53页 |
| ·Al_2O_3 薄膜的性质 | 第44-45页 |
| ·Al_2O_3 薄膜的常用制备方法 | 第45-46页 |
| ·中频反应磁控溅射制备 Al_2O_3 薄膜 | 第46-48页 |
| ·实验结果分析 | 第48-53页 |
| 第五章 MIM-FEA 阴极阵列的制备及性能测试 | 第53-60页 |
| ·MIM-FEA 的制作流程图 | 第53页 |
| ·实验过程 | 第53-56页 |
| ·下电极制作 | 第53-54页 |
| ·绝缘层及上电极制作 | 第54-55页 |
| ·MIM-FEA 的形成 | 第55-56页 |
| ·性能测试 | 第56-60页 |
| ·I-V 特性曲线测试 | 第56-57页 |
| ·复合膜层(SiO_2 和 Al_2O_3)耐压强度测试 | 第57-58页 |
| ·显示屏性能测试 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 个人简历 | 第67页 |