| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 符号表 | 第19-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-40页 |
| §1 .1 概述 | 第21-22页 |
| §1.2 β-Ga_2O_3材料的性质及应用 | 第22-26页 |
| ·结构性质 | 第22-23页 |
| ·光学性质 | 第23-24页 |
| ·电学性质 | 第24-25页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜的应用 | 第25-26页 |
| §1.3 薄膜的制备方法 | 第26-29页 |
| §1.4 Ga_2O_3薄膜的研究进展 | 第29-34页 |
| §1.5 课题的选取 | 第34-36页 |
| 本章参考文献 | 第36-40页 |
| 第二章 实验设备及测试方法 | 第40-56页 |
| §2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第40-48页 |
| ·MOCVD的基本原理以及特点 | 第40-41页 |
| ·MOCVD系统 | 第41-44页 |
| ·本论文使用的MOCVD系统 | 第44-47页 |
| ·实验流程 | 第47-48页 |
| §2.2 本论文涉及的测试分析方法 | 第48-55页 |
| ·薄膜样品的结构性质分析方法 | 第48-51页 |
| ·薄膜样品的组分分析方法 | 第51-52页 |
| ·薄膜光学性质的测量 | 第52-54页 |
| ·薄膜电学性质的测量 | 第54-55页 |
| 本章参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 氧化镁衬底Ga_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第56-74页 |
| §3.1 MgO(110)面衬底生长Ga_2O_3薄膜及其性质的研究 | 第56-65页 |
| ·衬底温度对Ga_2O_3薄膜结构性质和表面形貌的影响 | 第57-59页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的成分分析 | 第59-60页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的微观结构以及外延取向 | 第60-64页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的光学性质 | 第64-65页 |
| §3.2 MgO(111)面衬底生长Ga_2O_3薄膜及其性质的研究 | 第65-73页 |
| ·薄膜厚度及组分的测试 | 第65-66页 |
| ·薄膜的X射线衍射及表面形貌分析 | 第66-68页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第68-72页 |
| ·不同衬底温度下生长的氧化镓薄膜的光学透过性质 | 第72-73页 |
| 本章参考文献 | 第73-74页 |
| 第四章 MgAl_6O_(10)衬底Ga_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第74-88页 |
| §4.1 衬底的介绍及薄膜的制备 | 第74-75页 |
| §4.2 生长温度对薄膜结构特性的影响 | 第75-78页 |
| ·薄膜的结构与表面形貌分析 | 第75-77页 |
| ·薄膜外延机理分析 | 第77-78页 |
| §4.3 薄膜的微观结构分析 | 第78-80页 |
| §4 .4 薄膜的折射率及透过谱分析 | 第80-83页 |
| ·薄膜的折射率测试及分析 | 第80-81页 |
| ·薄膜的光学透过率测试 | 第81-83页 |
| §4.5 薄膜的PL谱测试以及发光机理的研究 | 第83-87页 |
| ·薄膜的光致发光谱测试及分析 | 第83-86页 |
| ·薄膜的光致发光机制分析 | 第86-87页 |
| 本章参考文献 | 第87-88页 |
| 第五章 MgAl_2O_4衬底Ga_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第88-97页 |
| §5.1 MgAl_2O_4衬底的介绍及实验条件 | 第88-89页 |
| §5.2 Ga_2O_3薄膜的结构和表面形貌分析 | 第89-91页 |
| §5.3 Ga_2O_3薄膜的外延生长关系机理及微结构分析 | 第91-94页 |
| §5.4 Ga_2O_3薄膜的光学特性 | 第94-96页 |
| 本章参考文献 | 第96-97页 |
| 第六章 Sn掺杂Ga_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第97-117页 |
| §6.1 MgO(100)衬底Ga_2O_3：Sn薄膜的制备 | 第97-103页 |
| ·X射线衍射分析 | 第97-98页 |
| ·样品表面形貌的分析 | 第98-99页 |
| ·样品组分的分析 | 第99-101页 |
| ·样品的电学性质 | 第101页 |
| ·样品的光学性质 | 第101-103页 |
| §6.2 MgO(110)衬底Ga_2O_3：Sn薄膜的制备 | 第103-110页 |
| ·X射线衍射分析 | 第104-105页 |
| ·样品的电学性质 | 第105-107页 |
| ·样品的微观结构 | 第107-109页 |
| ·样品的光学性质 | 第109-110页 |
| §6.3 MgAl_2O_4(100)衬底Ga_2O_3：Sn薄膜的制备 | 第110-116页 |
| ·Ga_2O_3：Sn薄膜的结构性质 | 第111-112页 |
| ·Ga_2O_3：Sn薄膜的电学性质 | 第112-113页 |
| ·Ga_2O_3：Sn薄膜的组分测试 | 第113-114页 |
| ·Ga_2O_3：Sn薄膜的光学性质 | 第114-116页 |
| 本章参考文献 | 第116-117页 |
| 第七章 结论 | 第117-120页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| Paper 1 | 第123-128页 |
| Paper 2 | 第128-132页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第132页 |
