| 内容提要 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| ·锑化物半导体 | 第13-17页 |
| ·锑化物材料基本性质 | 第13-14页 |
| ·锑化物材料应用 | 第14-15页 |
| ·几种重要的锑化物材料特性 | 第15-17页 |
| ·锑化物量子点 | 第17-25页 |
| ·半导体量子点性质 | 第18-19页 |
| ·锑化物量子点制备技术 | 第19-22页 |
| ·锑化物量子点应用 | 第22-24页 |
| ·锑化物量子点研究进展 | 第24-25页 |
| ·锑化物热光伏电池 | 第25-32页 |
| ·热光伏电池简介 | 第25-28页 |
| ·热光伏电池应用 | 第28-30页 |
| ·锑化物热光伏电池研究进展 | 第30-32页 |
| ·选题意义及论文内容 | 第32-35页 |
| 第二章 锑化物材料外延和器件仿真技术 | 第35-51页 |
| ·锑化物量子点生长方法及表征 | 第35-43页 |
| ·金属有机化学气相沉积技术原理 | 第35-36页 |
| ·金属有机化学气相沉积技术特点 | 第36-37页 |
| ·金属有机化学气相沉积技术系统组成 | 第37-42页 |
| ·量子点表征手段 | 第42-43页 |
| ·热光伏器件仿真软件及使用方法 | 第43-51页 |
| ·仿真软件 Silvaco TCAD | 第44-47页 |
| ·仿真方法 | 第47-51页 |
| 第三章 MOCVD 技术制备 GaSb/GaAs 量子点及其形貌特性研究 | 第51-73页 |
| ·生长温度对量子点形貌影响 | 第53-59页 |
| ·反应室压强对量子点形貌影响 | 第59-61页 |
| ·气相 V/III 比对量子点形貌影响 | 第61-65页 |
| ·快速生长阶段对量子点形貌影响 | 第65-68页 |
| ·中断生长阶段对量子点形貌影响 | 第68-70页 |
| ·交替生长阶段对量子点形貌影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第四章 MOCVD 技术制备 InSb/GaAs 量子点及其形貌特性研究 | 第73-105页 |
| ·生长温度对 InSb 量子点的影响 | 第75-78页 |
| ·反应室压强对 InSb 量子点的影响 | 第78-81页 |
| ·气相 V/III 比对 InSb 量子点的影响 | 第81-86页 |
| ·生长时间对 InSb 量子点的影响 | 第86-94页 |
| ·其他生长条件对 InSb 量子点形貌的影响 | 第94-99页 |
| ·源通入量对于量子点形貌的影响 | 第94-96页 |
| ·衬底处理对于量子点形貌的影响 | 第96-99页 |
| ·InSb 量子点特殊形貌分析 | 第99-103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 第五章 锑化物热光伏电池的模拟 | 第105-139页 |
| ·模拟思路及方法 | 第105-107页 |
| ·器件结构及材料参数 | 第107-114页 |
| ·热光伏电池单结及双结器件结构 | 第107-108页 |
| ·热光伏电池材料参数 | 第108-114页 |
| ·GaSb/GaInAsSb 单结热光伏电池特性模拟 | 第114-129页 |
| ·P-N 和 N-P 结构的选择 | 第114-116页 |
| ·GaSb/GaInAsSb 单结热光伏电池各层厚度对于输出特性的影响 | 第116-122页 |
| ·GaSb/GaInAsSb 单结热光伏电池各层掺杂浓度对于输出特性的影响 | 第122-127页 |
| ·GaSb/GaInAsSb 单结热光伏电池温度效应对于输出特性的影响 | 第127-129页 |
| ·GaSb/GaInAsSb 双结热光伏电池特性模拟 | 第129-135页 |
| ·有源区厚度对 GaSb/GaInAsSb 叠层电池输出特性的影响 | 第129-132页 |
| ·有源区掺杂浓度对 GaSb/GaInAsSb 叠层电池输出特性的影响 | 第132-135页 |
| ·GaSb/GaInAsSb 双结叠层热光伏电池优化 | 第135-136页 |
| ·本章小结 | 第136-139页 |
| 第六章 结论及创新点 | 第139-143页 |
| 参考文献 | 第143-159页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第159-161页 |
| 致谢 | 第161页 |
