| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·GaN 材料的特点和优势 | 第9-10页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的研究现状 | 第10-11页 |
| ·GaN 同质外延中的再生长界面污染和杂质去除 | 第11-13页 |
| ·本文研究内容及安排 | 第13-15页 |
| 第二章 GaN 的生长系统及表征技术 | 第15-27页 |
| ·MOCVD 系统 | 第16-19页 |
| ·材料表征与测试技术 | 第19-27页 |
| ·原子力显微镜(Atomic Force Microscopy，AFM) | 第19-20页 |
| ·X 射线衍射技术(X Ray Diffraction，XRD) | 第20-22页 |
| ·电容-电压测试(Capacitance-Voltage，C-V) | 第22-24页 |
| ·范德堡霍尔测试(Van der Pauw Hall) | 第24-25页 |
| ·二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS) | 第25页 |
| ·光致发光谱(photoluminescence, PL) | 第25-27页 |
| 第三章 GaN 同质外延再生长界面杂质去除方法研究 | 第27-37页 |
| ·研究背景 | 第27-28页 |
| ·基于原位热分解的再生长界面杂质去除方法研究 | 第28-33页 |
| ·再生长界面的杂质分析 | 第29-32页 |
| ·背景载流子浓度分析 | 第32-33页 |
| ·GaN 基板上外延的 AlGaN/GaN 异质结材料质量及电特性讨论 | 第33-36页 |
| ·表面形貌分析 | 第33-34页 |
| ·结晶质量分析 | 第34-35页 |
| ·电特性分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 GaN 基板上 AlGaN 势垒层生长研究 | 第37-49页 |
| ·研究背景 | 第37-38页 |
| ·GaN 基板上外延势垒层的 AlGaN/GaN 异质结材料特性 | 第38-48页 |
| ·GaN 基板上外延势垒层的 AlGaN/GaN 异质结材料的表面形貌分析 | 第38-40页 |
| ·GaN 基板上直接外延势垒层的 AlGaN/GaN 异质结电特性分析 | 第40-47页 |
| ·GaN 基板上氮化处理结合补偿生长的的 AlGaN/GaN 异质结的电特性分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结束语 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第58-59页 |
