| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-48页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第16-21页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第16-17页 |
| ·ZnO的基本物理性质 | 第17-18页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第18-19页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第19-21页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第21页 |
| ·ZnO基材料的p型掺杂 | 第21-24页 |
| ·ZnO基材料的“能带工程” | 第24-30页 |
| ·ZnMgO合金半导体 | 第25-28页 |
| ·ZnCdO合金半导体 | 第28-29页 |
| ·ZnBeO合金半导体 | 第29-30页 |
| ·半导体异质结、量子阱与超晶格结构的基本性质 | 第30-37页 |
| ·异质结、量子阱与超晶格的基本概念 | 第30-31页 |
| ·量子阱中的物理效应 | 第31-37页 |
| ·量子阱的制备方法 | 第37页 |
| ·ZnO基量子阱结构的应用及研究进展 | 第37-47页 |
| ·半导体发光二极管 | 第38-45页 |
| ·量子阱激光器 | 第45-47页 |
| ·本文实验思路 | 第47-48页 |
| 第三章 实验原理、生长工艺和表征手段 | 第48-54页 |
| ·分子束外延技术概述 | 第48-49页 |
| ·SVTA等离子体和激光辅助分子束外延设备 | 第49-51页 |
| ·实验工艺过程 | 第51-53页 |
| ·源材料的选择 | 第51页 |
| ·衬底选择及其清洗方法 | 第51-52页 |
| ·具体生长工艺 | 第52-53页 |
| ·常用性能表征 | 第53-54页 |
| 第四章 c面蓝宝石上外延生长ZnMgO合金薄膜 | 第54-70页 |
| ·MgO缓冲层工艺参数对Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜的影响 | 第54-65页 |
| ·缓冲层生长温度对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能影响 | 第55-58页 |
| ·缓冲层Mg源温度对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能影响 | 第58-59页 |
| ·经过优化工艺生长的Zn_(1-x)Mg_xO单晶薄膜 | 第59-65页 |
| ·不同Mg含量对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO异质结能带结构研究 | 第70-88页 |
| ·能带带阶测量方法 | 第71-72页 |
| ·光电子能谱测试ZnMgO/ZnO能带带阶的原理和方法 | 第71-72页 |
| ·Mg组分对Zn(1-x)Mg_xO异质结导带和价带边移动的影响 | 第72-79页 |
| ·生长取向对Na掺杂ZnMgO薄膜中p型性能的影响 | 第79-86页 |
| ·样品的制备 | 第80-83页 |
| ·不同极性取向的Zn_(0.87)Mg_(0.13)O/ZnO异质结能带偏移研究 | 第83-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO量子阱结构的制备及光学性能研究 | 第88-102页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO量子阱的制备 | 第88-90页 |
| ·阱层宽度对Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO光学性能的影响 | 第90-94页 |
| ·激子束缚能的增加 | 第94-96页 |
| ·垒层高度对Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO多量子阱结构光学性能的影响 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第七章 总结 | 第102-104页 |
| ·全文总结 | 第102-103页 |
| ·本文主要创新点 | 第103页 |
| ·未来工作展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 个人简历 | 第120-122页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文与取得的其它研究成果 | 第122-123页 |
