| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 GaN材料特性简介 | 第14-17页 |
| 1.1.1 GaN的物理特性 | 第14页 |
| 1.1.2 GaN的结构特性 | 第14-15页 |
| 1.1.3 GaN的极化特性 | 第15-17页 |
| 1.2 ZnO材料特性简介 | 第17-20页 |
| 1.2.1 ZnO的物理特性 | 第17-18页 |
| 1.2.2 ZnO的光学特性 | 第18-19页 |
| 1.2.3 ZnO的极化特性 | 第19-20页 |
| 1.3 ZnO基发光器件的研究进展 | 第20-26页 |
| 1.3.1 ZnO基同质结LEDs | 第20-22页 |
| 1.3.2 ZnO基异质结LEDs | 第22-24页 |
| 1.3.3 ZnO基LDs | 第24-26页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-39页 |
| 第2章 高质量N极性GaN薄膜的可控生长 | 第39-85页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 III族氮化物MOCVD系统 | 第40-44页 |
| 2.2.1 MOCVD系统简介 | 第40-41页 |
| 2.2.2 本论文中用于制备GaN材料的MOCVD系统 | 第41-43页 |
| 2.2.3 MOCVD法制备GaN材料的工艺简介 | 第43-44页 |
| 2.3 N极性与Ga极性GaN材料对比研究 | 第44-49页 |
| 2.3.1 材料制备工艺对比 | 第45-46页 |
| 2.3.2 材料生长动力学对比 | 第46-48页 |
| 2.3.3 材料化学腐蚀特性对比 | 第48-49页 |
| 2.4 成核层厚度对N极性GaN薄膜性质的影响 | 第49-53页 |
| 2.4.1 成核层厚度对N极性GaN表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| 2.4.2 成核层厚度对N极性GaN结晶特性的影响 | 第51-52页 |
| 2.4.3 成核层厚度对N极性GaN电学特性的影响 | 第52-53页 |
| 2.5 生长温度对N极性GaN薄膜特性的影响 | 第53-60页 |
| 2.5.1 生长温度对N极性GaN表面形貌的影响 | 第53-55页 |
| 2.5.2 生长温度对N极性GaN结晶特性的影响 | 第55-56页 |
| 2.5.3 生长温度对N极性GaN光学特性的影响 | 第56-58页 |
| 2.5.4 生长温度对N极性GaN应变状态的影响 | 第58-59页 |
| 2.5.5 生长温度对N极性GaN电学特性的影响 | 第59-60页 |
| 2.6 V/III比对N极性GaN薄膜特性的影响 | 第60-66页 |
| 2.6.1 V/III比对N极性GaN表面形貌的影响 | 第61-62页 |
| 2.6.2 V/III比对N极性GaN电学特性的影响 | 第62-65页 |
| 2.6.3 V/III比对N极性GaN光学特性的影响 | 第65-66页 |
| 2.7 Mg掺杂N极性p-GaN薄膜的制备研究 | 第66-77页 |
| 2.7.1 Mg源流量对N极性GaN特性的影响 | 第66-75页 |
| 2.7.2 生长温度对Mg掺杂N极性GaN特性的影响 | 第75-77页 |
| 2.8 本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 第3章 多维度O极性ZnO材料的制备研究 | 第85-109页 |
| 3.1 引言 | 第85页 |
| 3.2 本论文中用于制备ZnO材料的MOCVD系统简介 | 第85-87页 |
| 3.3 一维O极性ZnO纳米棒的制备研究 | 第87-95页 |
| 3.3.1 生长温度对ZnO纳米棒形貌特性的影响 | 第87-90页 |
| 3.3.2 生长温度对ZnO纳米棒光学特性的影响 | 第90-91页 |
| 3.3.3 Ar~+研磨对ZnO纳米棒光学特性的影响 | 第91-95页 |
| 3.4 二维O极性ZnO纳米墙的制备研究 | 第95-101页 |
| 3.4.1 氧气流量对ZnO纳米墙形貌特性的影响 | 第95-96页 |
| 3.4.2 氧气流量对ZnO纳米墙光学特性的影响 | 第96-97页 |
| 3.4.3 高质量ZnO纳米墙的图形化衬底辅助生长 | 第97-101页 |
| 3.5 二维O极性ZnO致密薄膜的制备研究 | 第101-104页 |
| 3.5.1 反应压强对ZnO薄膜形貌特性的影响 | 第101-102页 |
| 3.5.2 反应压强对ZnO薄膜结晶特性的影响 | 第102-103页 |
| 3.5.3 反应压强对ZnO薄膜光学特性的影响 | 第103-104页 |
| 3.6 本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第4章 ZnO-GaN组合异质结器件极化工程研究 | 第109-139页 |
| 4.1 引言 | 第109-110页 |
| 4.2 Zn极性n-ZnO/Ga极性p-GaN异质结LED | 第110-117页 |
| 4.2.1 器件的制备流程 | 第110-111页 |
| 4.2.2 Zn极性n-ZnO、N极性p-GaN的材料特性研究 | 第111-113页 |
| 4.2.3 器件的电学特性研究 | 第113-117页 |
| 4.3 O极性n-ZnO薄膜/N极性p-GaN异质结LED | 第117-125页 |
| 4.3.1 器件的制备流程 | 第117-118页 |
| 4.3.2 O极性n-ZnO、N极性p-GaN的材料特性研究 | 第118-120页 |
| 4.3.3 异质结界面极化特性研究 | 第120-122页 |
| 4.3.4 器件的电学特性研究 | 第122-125页 |
| 4.4 O极性n-ZnO纳米墙/N极性p-AlxGa1-xN异质结LED | 第125-132页 |
| 4.4.1 器件的制备流程 | 第125-126页 |
| 4.4.2 O极性ZnO纳米墙、N极性p-AlxGa1-xN的材料特性研究 | 第126-128页 |
| 4.4.3 器件的电学特性研究 | 第128-130页 |
| 4.4.4 界面极化对器件中载流子传输的影响 | 第130-132页 |
| 4.5 本章小结 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-139页 |
| 第5章 ZnO-GaN组合接触型异质结发光器件的制备研究 | 第139-165页 |
| 5.1 引言 | 第139-140页 |
| 5.2 n-GaN/i-ZnO薄膜/p-GaN接触型异质结LED | 第140-145页 |
| 5.2.1 器件的制备流程 | 第140-141页 |
| 5.2.2 ZnO薄膜的材料特性研究 | 第141-142页 |
| 5.2.3 器件的电学特性研究 | 第142-145页 |
| 5.3 n-GaN/i-ZnO纳米笔/p-GaN接触型异质结LED | 第145-152页 |
| 5.3.1 器件的制备流程 | 第146页 |
| 5.3.2 ZnO纳米笔的材料特性研究 | 第146-148页 |
| 5.3.3 器件的电学特性研究 | 第148-152页 |
| 5.4 n-ZnO/p-h BN/p-GaN接触型异质结LED | 第152-160页 |
| 5.4.1 器件的制备流程 | 第153-154页 |
| 5.4.2 n-ZnO、p-h BN薄膜的材料特性研究 | 第154-155页 |
| 5.4.3 器件的电学特性研究 | 第155-160页 |
| 5.5 本章小结 | 第160-161页 |
| 参考文献 | 第161-165页 |
| 结论 | 第165-169页 |
| 本论文的创新点 | 第169-171页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第171-173页 |
| 致谢 | 第173-174页 |
