| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 Ga_2O_3的概述 | 第9页 |
| 1.2 Ga_2O_3的晶体结构和性质 | 第9-12页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3的性质 | 第11-12页 |
| 1.3 Ga_2O_3材料的应用 | 第12-16页 |
| 1.3.1 深紫外透明导电薄膜 | 第12页 |
| 1.3.2 紫外探测器 | 第12-13页 |
| 1.3.3 自旋电子器件 | 第13页 |
| 1.3.4 薄膜电致发光器件 | 第13-14页 |
| 1.3.5 气敏传感器 | 第14-15页 |
| 1.3.6 场效应晶体管 | 第15-16页 |
| 1.4 研究课题的选取及内容 | 第16-17页 |
| 2 Ga_2O_3材料的制备及表征 | 第17-30页 |
| 2.1 Ga_2O_3材料的制备方法 | 第17-24页 |
| 2.1.1 电子束蒸发 | 第17-18页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第18-19页 |
| 2.1.3 分子束外延 | 第19-20页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积 | 第20-21页 |
| 2.1.5 溶胶-凝胶法 | 第21-22页 |
| 2.1.6 MOCVD | 第22-24页 |
| 2.2 Ga_2O_3材料的表征手段 | 第24-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| 2.2.4 透射-反射谱(Transmission and reflection spectra) | 第27-29页 |
| 2.2.5 光致发光谱(PL) | 第29-30页 |
| 3 籽晶层对Al_2O_3衬底上生长的Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第30-43页 |
| 3.1 Al_2O_3衬底上直接制备Ga_2O_3薄膜 | 第30-33页 |
| 3.1.1 实验设计方案 | 第30页 |
| 3.1.2 晶体特性的表征与分析 | 第30-31页 |
| 3.1.3 光学特性的表征与分析 | 第31-33页 |
| 3.1.4 小结 | 第33页 |
| 3.2 Ga_2O_3籽晶层对Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.1 实验设计方案 | 第33-34页 |
| 3.2.2 晶体特性的表征与分析 | 第34-35页 |
| 3.2.3 光学特性的表征与分析 | 第35-36页 |
| 3.2.4 小结 | 第36-37页 |
| 3.3 退火处理后的Ga_2O_3籽晶层对Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第37-42页 |
| 3.3.1 实验设计方案 | 第37-38页 |
| 3.3.2 晶体特性的表征与分析 | 第38-40页 |
| 3.3.3 光学特性的表征与分析 | 第40-41页 |
| 3.3.4 小结 | 第41-42页 |
| 3.4 本章总结 | 第42-43页 |
| 4 MOCVD原位退火中的氧分压对Ga2O3薄膜性质的影响 | 第43-50页 |
| 4.1 提高MOCVD原位退火降温过程中的氧分压 | 第43-46页 |
| 4.1.1 晶体特性的表征与分析 | 第43-44页 |
| 4.1.2 光学特性的表征与分析 | 第44-45页 |
| 4.1.3 小结 | 第45-46页 |
| 4.2 降低MOCVD降温过程中的氧分压 | 第46-49页 |
| 4.2.1 晶体特性的表征与分析 | 第46-47页 |
| 4.2.2 光学特性的表征与分析 | 第47-48页 |
| 4.2.3 小结 | 第48-49页 |
| 4.3 本章总结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
