柔性配置的化学气相沉积反应腔体研究和设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 几种新型半导体材料介绍 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3 课题的主要工作 | 第14-17页 |
| 2 CVD 基础理论及数学模型建立 | 第17-33页 |
| 2.1 薄膜材料生长条件 | 第17-25页 |
| 2.2 化学气相沉积技术概述 | 第25-28页 |
| 2.3 多物理场耦合数学模型基础 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 3 工艺与设备构架的关系 | 第33-42页 |
| 3.1 生长机理和条件与设备构架的关系 | 第33-35页 |
| 3.2 反应物输运方式与设备构架的关系 | 第35-38页 |
| 3.3 化学反应过程及其特点与设备构架的关系 | 第38-41页 |
| 3.4 工艺与设备构架关系的总结 | 第41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 新型 CVD 设备腔体构架研究 | 第42-54页 |
| 4.1 整体构架研究 | 第42-43页 |
| 4.2 新型 CVD 设备腔体工作模式 | 第43-45页 |
| 4.3 腔体温区研究 | 第45-50页 |
| 4.4 腔体进气方式研究 | 第50-51页 |
| 4.5 腔体间距调节研究 | 第51-52页 |
| 4.6 腔体加工实体 | 第52-53页 |
| 4.7 本章总结 | 第53-54页 |
| 5 新型 CVD 设备腔体优化设计 | 第54-59页 |
| 5.1 尾气出口对腔体性能的影响 | 第54-56页 |
| 5.2 石墨盘形状对腔体性能的影响 | 第56-57页 |
| 5.3 石墨盘厚度对腔体性能影响研究 | 第57-58页 |
| 5.4 加热片与石墨盘间距对腔体性能的影响 | 第58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 6 全文总结和展望 | 第59-61页 |
| 6.1 工作总结 | 第59页 |
| 6.2 后续研究展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第65页 |
