MOCVD生长氮化镓的KMC微观模拟
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究意义 | 第14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 GaN基材料的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 GaN基材料生长动力学的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第17-20页 |
| 第二章 GaN的MOCVD化学反应动力学分析 | 第20-36页 |
| 2.1 GaN材料的性质 | 第20-23页 |
| 2.1.1 晶格结构 | 第20-21页 |
| 2.1.2 电学性质 | 第21-22页 |
| 2.1.3 光学性质 | 第22-23页 |
| 2.1.4 化学性质 | 第23页 |
| 2.2 MOCVD技术 | 第23-25页 |
| 2.2.1 MOCVD基本原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 PMOCVD技术 | 第24-25页 |
| 2.3 MOCVD的生长模式 | 第25-26页 |
| 2.3.1 二维生长模式 | 第25页 |
| 2.3.2 3D岛状生长模式 | 第25-26页 |
| 2.3.3 混合生长模式 | 第26页 |
| 2.4 MOCVD气相反应动力学 | 第26-27页 |
| 2.4.1 质量作用定理 | 第26页 |
| 2.4.2 阿伦尼乌斯定理 | 第26-27页 |
| 2.4.3 碰撞理论 | 第27页 |
| 2.5 MOCVD表面反应动力学 | 第27-29页 |
| 2.5.1 表面吸附的基本原理 | 第27-28页 |
| 2.5.2 表面脱附的基本原理 | 第28-29页 |
| 2.6 GaN材料生长的化学反应动力学分析 | 第29-30页 |
| 2.6.1 气相反应动力学分析 | 第29-30页 |
| 2.6.2 MOCVD表面反应动力学分析 | 第30页 |
| 2.7 GaN的MOCVD气相反应路径分析 | 第30-33页 |
| 2.7.1 TMG气源的热分解反应 | 第31页 |
| 2.7.2 NH_3气源的热分解反应 | 第31-32页 |
| 2.7.3 气源TMG和NH_3相互之间的反应 | 第32页 |
| 2.7.4 两条相互竞争的反应路径 | 第32-33页 |
| 2.8 GaN的表面反应路径分析 | 第33-35页 |
| 2.9 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 MOCVD生长GaN的KMC模型 | 第36-52页 |
| 3.1 材料生长的模拟方法 | 第36-44页 |
| 3.1.1 第一性原理 | 第36页 |
| 3.1.2 分子动力学方法(MD) | 第36-38页 |
| 3.1.3 蒙特卡洛算法(MC) | 第38-40页 |
| 3.1.4 KMC方法 | 第40-44页 |
| 3.2 GaN的KMC模型 | 第44-48页 |
| 3.2.1 GaN衬底的结构模型 | 第44-45页 |
| 3.2.2 气相反应模型 | 第45-46页 |
| 3.2.3 表面反应模型 | 第46-48页 |
| 3.3 KMC模拟的计算机编程 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 KMC模拟结果与分析 | 第52-64页 |
| 4.1 气相反应的FLUENT模拟结果 | 第52-55页 |
| 4.1.1 KMC模拟的计算机编程 | 第52-53页 |
| 4.1.2 Fluent的模拟结果 | 第53-55页 |
| 4.2 GaN表面生长的KMC模拟结果 | 第55-61页 |
| 4.2.1 KMC的三维模拟结果 | 第56-57页 |
| 4.2.2 GaN生长速率的KMC模拟结果 | 第57-60页 |
| 4.2.3 粗糙度的KMC模拟结果 | 第60-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| 5.1 论文的主要工作 | 第64-65页 |
| 5.2 研究展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-73页 |
