| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 SiC半导体材料 | 第8-9页 |
| 1.2 拉曼散射测量SiC载流子浓度的研究意义及现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 拉曼散射测量SiC载流子浓度的研究意义 | 第9页 |
| 1.2.2 拉曼散射测量SiC载流子浓度的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.3 本文研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 SiC晶体同质外延及4H-SiC外延设备 | 第12-24页 |
| 2.1 SiC晶体结构 | 第12-14页 |
| 2.2 SiC材料制备技术综述 | 第14-18页 |
| 2.2.1 物理气相传输法(PVT) | 第14-15页 |
| 2.2.2 液相外延(LPE) | 第15-16页 |
| 2.2.3 分子束外延(MBE) | 第16-17页 |
| 2.2.4 化学气相淀积(CVD) | 第17-18页 |
| 2.3 4H-SiC外延设备及工艺 | 第18-22页 |
| 2.3.1 VP508水平热壁CVD外延设备 | 第18-20页 |
| 2.3.2 VP 508生长工艺 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 有偏角4H-SiC衬底上同质外延生长工艺研究 | 第24-38页 |
| 3.1 实验设计 | 第24-25页 |
| 3.2 关键工艺对外延生长中载流子浓度的影响 | 第25-36页 |
| 3.2.1 汞探针C-V测试 | 第25-26页 |
| 3.2.2 原位刻蚀对载流子浓度的影响 | 第26-28页 |
| 3.2.3 C/Si对载流子浓度的影响 | 第28-32页 |
| 3.2.4 生长温度对载流子浓度的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.5 生长气压对载流子浓度的影响 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 拉曼光谱研究n型4H-SiC的载流子浓度 | 第38-58页 |
| 4.1 拉曼散射的原理 | 第38-39页 |
| 4.2 晶体中的拉曼散射 | 第39-40页 |
| 4.2.1 声子的拉曼散射 | 第39页 |
| 4.2.2 SiC的折叠模和振动模 | 第39-40页 |
| 4.3 拉曼散射表征4H-SiC的方法 | 第40-45页 |
| 4.4 LO声子耦合模的拉曼散射理论 | 第45-48页 |
| 4.5 拉曼散射研究4H-SiC载流子浓度 | 第48-55页 |
| 4.5.1 理论分析LOPC峰计算载流子浓度的方法 | 第48-51页 |
| 4.5.2 拉曼光谱研究载流子浓度 | 第51-54页 |
| 4.5.3 LOPC模发生蓝移的理论分析 | 第54-55页 |
| 4.5.4 LOPC模半高宽变宽的理论分析 | 第55页 |
| 4.5.5 LOPC模峰强变弱的理论分析 | 第55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士期间取得的学术成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
