| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 有机电子学的发展 | 第11页 |
| 1.1.2 有机半导体薄膜器件的应用 | 第11-13页 |
| 1.2 OSC材料的研究现状 | 第13-18页 |
| 1.2.1 有机分子的取向研究 | 第14-15页 |
| 1.2.2 金属酞菁分子的在OSC器件中的应用 | 第15-16页 |
| 1.2.3 金属酞菁分子的取向研究 | 第16-18页 |
| 1.3 选题的背景和意义 | 第18页 |
| 1.4 本论文的研究内容和结构安排 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第2章 基本原理和实验方法 | 第23-35页 |
| 2.1 近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS) | 第23-25页 |
| 2.1.1 NEXAFS基本原理 | 第23页 |
| 2.1.2 NEXAFS谱的偏振依赖性 | 第23-24页 |
| 2.1.3 NEXAFS数据的归一化处理 | 第24-25页 |
| 2.2 Raman光谱 | 第25-26页 |
| 2.2.1 Raman散射 | 第25页 |
| 2.2.2 Raman光谱测定有机分子取向 | 第25-26页 |
| 2.3 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.4 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| 2.5 有机薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 2.6 实验设备介绍 | 第29-32页 |
| 2.6.1 北京同步辐射装置(BSRF) | 第29页 |
| 2.6.2 中国科学院强磁场中心(HMFL)稳态强磁场装置 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第3章 强磁场下的FePc分子在Si衬底上的生长研究 | 第35-49页 |
| 3.1 前言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验细节 | 第36-37页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第37-45页 |
| 3.3.1 FePc的磁性测试 | 第37-38页 |
| 3.3.2 薄膜的结晶性 | 第38-39页 |
| 3.3.3 薄膜的形貌 | 第39-40页 |
| 3.3.4 角分辨NEXAFS谱 | 第40-42页 |
| 3.3.5 Raman光谱 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第4章 强磁场下的FePc分子在Cu衬底上的生长研究 | 第49-61页 |
| 4.1 前言 | 第49页 |
| 4.2 实验 | 第49-50页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第50-59页 |
| 4.3.1 薄膜的结晶性 | 第50-51页 |
| 4.3.2 薄膜的形貌 | 第51-53页 |
| 4.3.3 角分辨NEXAFS谱 | 第53-54页 |
| 4.3.4 Raman光谱 | 第54-57页 |
| 4.3.5 不同衬底的结果比较 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第5章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 全文总结 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第65页 |
