| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1．1 a-Si:H的研究 | 第8-13页 |
| 1．2 a-Si:H结构特点 | 第13-17页 |
| 1．3 a-Si:H的性质及应用 | 第17-19页 |
| 1．4 a-Si:H的生长机制 | 第19-21页 |
| 第2章 MWECR CVD沉积系统 | 第21-31页 |
| 2．1 等离子体基本常数与特性 | 第21-23页 |
| 2．2 ECR等离子体 | 第23-28页 |
| 2．2．1 ECR原理 | 第24-25页 |
| 2．2．2 ECR等离子体的能量吸收 | 第25-27页 |
| 2．2．3 ECR等离子体特点 | 第27-28页 |
| 2．3 ECR等离子体沉积系统介绍 | 第28-30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 a-Si:H薄膜的MWECR CVD制备 | 第31-44页 |
| 3．1 实验 | 第31-32页 |
| 3．2 实验结果及分析 | 第32-43页 |
| 3．2．1 H_2／SiH_4稀释比与a-Si：H薄膜 | 第32-37页 |
| 3．2．2 衬底温度与a-Si:H薄膜 | 第37-41页 |
| 3．2．3 衬底位置与a-Si:H薄膜 | 第41-43页 |
| 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 a-Si:H薄膜中的氢 | 第44-62页 |
| 4．1 实验 | 第45页 |
| 4．2 氢含量（Total Hydrogen Content）的计算 | 第45-55页 |
| 4．2．1 红外吸收强度 | 第45-47页 |
| 4．2．2 IR透过率谱到吸收系数谱的转换 | 第47-51页 |
| 4．2．3 氢含量与摇摆模式 | 第51-52页 |
| 4．2．4 请含量与伸缩模式 | 第52-55页 |
| 4．3 衬底温度对氢含量的影响 | 第55-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 a-Si:H薄膜的光电性质 | 第62-81页 |
| 5．1 a-Si：H的本征吸收和光学带隙 | 第62-68页 |
| 5．1．1 a-Si:H的吸收边 | 第62-63页 |
| 5．1．2 a-Si:H的本征吸收与光学带隙 | 第63-65页 |
| 5．1．3 a-Si:H薄膜的反射与透射 | 第65-68页 |
| 5．2 a-Si:H暗电导与光电导 | 第68-72页 |
| 5．2．1 非晶半导体的导电机理 | 第68-69页 |
| 5．2．2 a-Si:H的暗电导 | 第69-71页 |
| 5．2．3 a-Si:H的光电导 | 第71-72页 |
| 5．3 a-Si:H薄膜的光电性质 | 第72-80页 |
| 5．3．1 实验设计 | 第72-75页 |
| 5．3．2 实验结果及分析 | 第75-80页 |
| 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第87页 |