| 内容提要 | 第4-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 III-V 族锑化物半导体材料简介 | 第11-15页 |
| 第2章 锑化物 LP-MOCVD 外延生长技术介绍 | 第15-32页 |
| 2.1 MOCVD 技术简介 | 第15-28页 |
| 2.2 MOCVD 技术生长 ABCS 的 SB 源与衬底 | 第28-32页 |
| 第3章 LP-MOCVD 生长 GASB/GAAS 的成核研究 | 第32-48页 |
| 3.1 研究内容与实验设计 | 第32-33页 |
| 3.2 成核温度对 GASB/GAAS 成核特性的影响 | 第33-39页 |
| 3.3 成核压强对 GASB/GAAS 成核特性的影响 | 第39-43页 |
| 3.4 MO 源气相 V III 比对 GASB/GAAS 成核特性的影响 | 第43-47页 |
| 3.5 小结 | 第47-48页 |
| 第4章 LP-MOCVD 技术制备 GASB/GAAS 薄膜生长特性研究 | 第48-63页 |
| 4.1 研究内容 | 第48页 |
| 4.2 LP-MOCVD 生长 GASB/GAAS 薄膜的初步研究 | 第48-52页 |
| 4.3 LP-MOCVD 生长 GASB/GAAS 的正交实验 | 第52-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 LP-MOCVD 技术制备 INSB/GASB 量子点生长特性及表面形貌研究 | 第63-94页 |
| 5.1 研究内容 | 第64-66页 |
| 5.2 快速生长时间的选择 | 第66-68页 |
| 5.3 MO 源输入流量的选择 | 第68-71页 |
| 5.4 GASB 衬底腐蚀对 INSB 量子点生长的影响 | 第71-73页 |
| 5.5 生长温度对 INSB 量子点形貌的影响 | 第73-78页 |
| 5.6 生长压强对 INSB 量子点形貌的影响 | 第78-82页 |
| 5.7 MO 源气相 V III 比对 INSB 量子点形貌的影响 | 第82-86页 |
| 5.8 类原子层沉积控制方式制备 INSB 量子点的研究 | 第86-89页 |
| 5.9 原位退火对 INSB 量子点的影响 | 第89-92页 |
| 5.10 本章小结 | 第92-94页 |
| 结论 | 第94-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 作者简介 | 第102-104页 |
| 后记和致谢 | 第104-106页 |
