磁控溅射和高温氨化两步法制备AlGaN薄膜
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 AlGaN材料的性质 | 第10-12页 |
| 1.1.1 晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 物理和化学性质 | 第11-12页 |
| 1.1.3 光学和电学性质 | 第12页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料的制备技术 | 第12-15页 |
| 1.2.1 GaN的制备技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 AlN制备技术 | 第13-14页 |
| 1.2.3 AlGaN制备技术 | 第14-15页 |
| 1.3 AlGaN材料的应用 | 第15-17页 |
| 1.3.1 高电子迁移率晶体管 | 第15-16页 |
| 1.3.2 发光二极管 | 第16页 |
| 1.3.3 紫外探测器 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 磁控溅射技术与样品表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第19-21页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术原理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术特点 | 第20-21页 |
| 2.2 实验设备和实验试剂 | 第21-22页 |
| 2.2.1 磁控溅射系统 | 第21页 |
| 2.2.2 高温氨化系统 | 第21-22页 |
| 2.2.3 实验中所使用的其他仪器 | 第22页 |
| 2.2.4 实验中用到的材料和试剂 | 第22页 |
| 2.3 衬底的选择及预处理过程 | 第22-25页 |
| 2.3.1 蓝宝石 | 第23-24页 |
| 2.3.2 碳化硅SiC | 第24页 |
| 2.3.3 硅Si | 第24页 |
| 2.3.4 衬底预处理过程 | 第24-25页 |
| 2.4 样品的测试与表征技术 | 第25-26页 |
| 2.4.1 物相分析 | 第25页 |
| 2.4.2 微观形貌和成分分析 | 第25-26页 |
| 2.4.3 光学性质测试 | 第26页 |
| 2.4.4 电学性质测试 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GaN和AlN材料的制备与表征 | 第27-51页 |
| 3.1 GaN薄膜的制备 | 第27页 |
| 3.2 不同工艺参数对GaN薄膜生长的影响 | 第27-36页 |
| 3.2.1 氨化温度对GaN薄膜生长的影响 | 第27-31页 |
| 3.2.2 工作气压对GaN薄膜的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.3 溅射时间对GaN薄膜生长的影响 | 第33-36页 |
| 3.3 AlN材料的制备 | 第36-37页 |
| 3.4 不同工艺参数对AlN薄膜生长的影响 | 第37-49页 |
| 3.4.1 衬底温度对AlN薄膜生长的影响 | 第37-42页 |
| 3.4.2 氮气浓度对AlN薄膜生长的影响 | 第42-46页 |
| 3.4.3 工气压对AlN薄膜生长的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.4 探讨AlN薄膜生长机理 | 第49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 AlGaN薄膜的制备与表征 | 第51-71页 |
| 4.1 AlGaN薄膜的制备 | 第51页 |
| 4.2 衬底温度对AlGaN薄膜生长的影响 | 第51-56页 |
| 4.3 溅射功率对AlGaN薄膜生长的影响 | 第56-62页 |
| 4.4 氮气浓度对AlGaN薄膜生长的影响 | 第62-67页 |
| 4.5 光致发光性能 | 第67-68页 |
| 4.6 电学性能 | 第68-69页 |
| 4.7 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 工作总结和展望 | 第71-73页 |
| 5.1 工作总结 | 第71-72页 |
| 5.2 工作展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
