| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题来源 | 第9页 |
| 1.2 研究意义 | 第9-11页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物量子点的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4 研究内容与本文结构 | 第12-14页 |
| 2 量子点的生长模式与表征方法 | 第14-22页 |
| 2.1 量子点的生长模式 | 第14-18页 |
| 2.2 金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第18-19页 |
| 2.3 表征方法 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 GaN 与 AlN 外延模板的制备 | 第22-31页 |
| 3.1 外延衬底的选择 | 第22-23页 |
| 3.2 MOCVD 设备与生长条件的介绍 | 第23-24页 |
| 3.3 GaN 与 AlN 外延模板的制备方法 | 第24-25页 |
| 3.4 GaN 外延模板的生长 | 第25-28页 |
| 3.5 AlN 外延模板的生长 | 第28-30页 |
| 3.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 4 InGaN 薄膜 MOCVD 生长的表面形貌演变 | 第31-43页 |
| 4.1 概述 | 第31-32页 |
| 4.2 生长参数对 InGaN 薄膜表面形貌的影响 | 第32-41页 |
| 4.3 InGaN 量子点的验证 | 第41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 5 InGaN 量子点的 MOCVD 生长研究 | 第43-56页 |
| 5.1 低密度 InGaN 量子点的生长 | 第43-45页 |
| 5.2 高密度 InGaN 量子点的生长 | 第45-46页 |
| 5.3 各种生长参数对 InGaN 量子点生长的影响 | 第46-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 6 GaN 量子点的 MOCVD 生长研究 | 第56-64页 |
| 6.1 Ga 液滴的形成 | 第56-58页 |
| 6.2 GaN 量子点的生长 | 第58-59页 |
| 6.3 退火对 GaN 量子点的影响 | 第59-61页 |
| 6.4 AlGaN 覆盖层的生长 | 第61-62页 |
| 6.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 7 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
