| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 SiC材料简介 | 第15-18页 |
| 1.2 SiC外延生长研究进展 | 第18-25页 |
| 1.2.1 升华法 | 第19-20页 |
| 1.2.2 液相外延 | 第20页 |
| 1.2.3 溅射法 | 第20-21页 |
| 1.2.4 脉冲激光沉淀 | 第21页 |
| 1.2.5 分子束外延 | 第21页 |
| 1.2.6 化学气相沉积 | 第21-25页 |
| 1.3 SiC外延生长存在的问题 | 第25页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第25-27页 |
| 第二章 4H-SiC外延设备与工艺 | 第27-33页 |
| 2.1 VP 508 GFR水平热壁CVD外延设备 | 第27-29页 |
| 2.2 工艺流程 | 第29-30页 |
| 2.3 实验设计 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 4H-SiC外延层生长的研究 | 第33-39页 |
| 3.1 不同生长条件对生长速率的影响研究 | 第33-35页 |
| 3.1.1 生长气压 | 第33-34页 |
| 3.1.2 硅烷流量 | 第34页 |
| 3.1.3 生长时间 | 第34-35页 |
| 3.2 FTIR厚度测试 | 第35-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 4H-SiC外延层表征的研究 | 第39-53页 |
| 4.1 光学显微镜 | 第39-43页 |
| 4.1.1 生长气压 | 第39-41页 |
| 4.1.2 硅烷流量 | 第41-42页 |
| 4.1.3 生长时间 | 第42-43页 |
| 4.2 原子力显微镜 | 第43-48页 |
| 4.3 高分辨X射线衍射 | 第48-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 作者简介 | 第61-62页 |
| 1.基本情况 | 第61页 |
| 2.教育背景 | 第61页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第61-62页 |