| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 GaN基材料的研究背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 GaN基材料特性 | 第10-12页 |
| 1.2.1 结构特性 | 第11页 |
| 1.2.2 极化效应 | 第11-12页 |
| 1.3 非极性面GaN基材料简介 | 第12-16页 |
| 1.3.1 非极性面GaN基材料结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 非极性GaN基材料的优势 | 第13-14页 |
| 1.3.3 非极性面GaN基LED研究进展 | 第14页 |
| 1.3.4 非极性a面GaN基材料在r面蓝宝石上生长所存在的问题 | 第14-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容及创新点 | 第16-18页 |
| 第二章 非极性Ⅲ族氮化物材料生长及表征 | 第18-26页 |
| 2.1 非极性Ⅲ族氮化物材料的MOCVD外延生长技术 | 第18-21页 |
| 2.2 非极性Ⅲ族氮化物材料的表征方法 | 第21-25页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射仪(HRXRD) | 第21-22页 |
| 2.2.2 光致发光(PL)谱 | 第22页 |
| 2.2.3 紫外可见分光光度计 | 第22-23页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.2.5 霍尔(Hall)效应测试仪 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 a面GaN基材料的生长研究 | 第26-38页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 以GaN材料作为成核层的a面GaN材料的生长研究 | 第26-33页 |
| 3.2.1 以GaN材料作为成核层的a面GaN材料的生长 | 第26-28页 |
| 3.2.2 样品表征与分析 | 第28-31页 |
| 3.2.3 a面GaN基材料的n型掺杂研究 | 第31-33页 |
| 3.3 以AlN作为成核层的a面GaN基材料的生长研究 | 第33-37页 |
| 3.3.1 AlN作为成核层的a面GaN材料的生长过程 | 第34页 |
| 3.3.2 AlN作为成核层的a面GaN材料表征结果与分析 | 第34-35页 |
| 3.3.3 AlGaN作为插入层的a面GaN材料的生长研究 | 第35-36页 |
| 3.3.4 AlGaN作为插入层的a面GaN材料表征与分析 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 非极性a面GaN基LED中AlInGaN四元材料的应用 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 APSYS仿真软件简介 | 第38-39页 |
| 4.3 理论模型 | 第39-41页 |
| 4.3.1 通过复合中心的间接(Shockley Read Hall,SHR)复合和俄歇复合 | 第39页 |
| 4.3.2 扩散-漂移(Diffusion-Drift,DD)模型 | 第39-40页 |
| 4.3.3 自发极化和压电极化 | 第40-41页 |
| 4.3.4 氮化镓基半导体材料的禁带宽度 | 第41页 |
| 4.4 AlInGaN四元材料在不同极性GaN基LED的应用 | 第41-48页 |
| 4.4.1 建立模型与设置参数 | 第41-42页 |
| 4.4.2 GaN基LED的结构模拟分析 | 第42-43页 |
| 4.4.3 GaN基LED的结构创新与模拟 | 第43-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 基于Ⅲ-Ⅴ族材料GaAs的太赫兹波调制器 | 第49-57页 |
| 5.1 结构与原理 | 第49-50页 |
| 5.2 太赫兹波调制器的模拟 | 第50-52页 |
| 5.2.1 中心响应频率为0.34 THz的太赫兹波调制器的模拟结果 | 第50-51页 |
| 5.2.2 一种多频响应太赫兹波调制器 | 第51-52页 |
| 5.3 制备的太赫兹波调制器的实验结果与分析 | 第52-56页 |
| 5.3.1 栅极电压对2DEG浓度的影响 | 第53页 |
| 5.3.2 直流偏压下对太赫兹波的幅度调制 | 第53-55页 |
| 5.3.3 交流电压下对太赫兹波的高频调制 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 总结与展望 | 第57-59页 |
| 全文工作总结 | 第57页 |
| 未来工作展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第64页 |
