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非极性GaN材料的MOCVD生长及表征

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 GaN基材料的研究背景和意义第10页
    1.2 GaN基材料特性第10-12页
        1.2.1 结构特性第11页
        1.2.2 极化效应第11-12页
    1.3 非极性面GaN基材料简介第12-16页
        1.3.1 非极性面GaN基材料结构第12-13页
        1.3.2 非极性GaN基材料的优势第13-14页
        1.3.3 非极性面GaN基LED研究进展第14页
        1.3.4 非极性a面GaN基材料在r面蓝宝石上生长所存在的问题第14-16页
    1.4 本文主要研究内容及创新点第16-18页
第二章 非极性Ⅲ族氮化物材料生长及表征第18-26页
    2.1 非极性Ⅲ族氮化物材料的MOCVD外延生长技术第18-21页
    2.2 非极性Ⅲ族氮化物材料的表征方法第21-25页
        2.2.1 高分辨X射线衍射仪(HRXRD)第21-22页
        2.2.2 光致发光(PL)谱第22页
        2.2.3 紫外可见分光光度计第22-23页
        2.2.4 扫描电子显微镜(SEM)第23-24页
        2.2.5 霍尔(Hall)效应测试仪第24-25页
    2.3 本章小结第25-26页
第三章 a面GaN基材料的生长研究第26-38页
    3.1 引言第26页
    3.2 以GaN材料作为成核层的a面GaN材料的生长研究第26-33页
        3.2.1 以GaN材料作为成核层的a面GaN材料的生长第26-28页
        3.2.2 样品表征与分析第28-31页
        3.2.3 a面GaN基材料的n型掺杂研究第31-33页
    3.3 以AlN作为成核层的a面GaN基材料的生长研究第33-37页
        3.3.1 AlN作为成核层的a面GaN材料的生长过程第34页
        3.3.2 AlN作为成核层的a面GaN材料表征结果与分析第34-35页
        3.3.3 AlGaN作为插入层的a面GaN材料的生长研究第35-36页
        3.3.4 AlGaN作为插入层的a面GaN材料表征与分析第36-37页
    3.4 本章小结第37-38页
第四章 非极性a面GaN基LED中AlInGaN四元材料的应用第38-49页
    4.1 引言第38页
    4.2 APSYS仿真软件简介第38-39页
    4.3 理论模型第39-41页
        4.3.1 通过复合中心的间接(Shockley Read Hall,SHR)复合和俄歇复合第39页
        4.3.2 扩散-漂移(Diffusion-Drift,DD)模型第39-40页
        4.3.3 自发极化和压电极化第40-41页
        4.3.4 氮化镓基半导体材料的禁带宽度第41页
    4.4 AlInGaN四元材料在不同极性GaN基LED的应用第41-48页
        4.4.1 建立模型与设置参数第41-42页
        4.4.2 GaN基LED的结构模拟分析第42-43页
        4.4.3 GaN基LED的结构创新与模拟第43-48页
    4.5 本章小结第48-49页
第五章 基于Ⅲ-Ⅴ族材料GaAs的太赫兹波调制器第49-57页
    5.1 结构与原理第49-50页
    5.2 太赫兹波调制器的模拟第50-52页
        5.2.1 中心响应频率为0.34 THz的太赫兹波调制器的模拟结果第50-51页
        5.2.2 一种多频响应太赫兹波调制器第51-52页
    5.3 制备的太赫兹波调制器的实验结果与分析第52-56页
        5.3.1 栅极电压对2DEG浓度的影响第53页
        5.3.2 直流偏压下对太赫兹波的幅度调制第53-55页
        5.3.3 交流电压下对太赫兹波的高频调制第55-56页
    5.4 本章小结第56-57页
总结与展望第57-59页
    全文工作总结第57页
    未来工作展望第57-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第64页

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