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GaSb光阴极发射层MOCVD制备技术研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 微光夜视光阴极发展历程第9-11页
    1.3 光阴极光电发射机理第11-14页
    1.4 主要研究内容第14-16页
第二章 GaSb材料性质及III-V族光阴极组件结构特性第16-28页
    2.1 GaSb材料特性及外延制备方法第16-20页
        2.1.1 GaSb材料特性第16-17页
        2.1.2 GaSb材料外延制备手段第17-20页
    2.2 III-V族光阴极组件结构第20-24页
        2.2.1 反射式光阴极结构第20-21页
        2.2.2 透射式光阴极结构第21-23页
        2.2.3 发射层组分结构第23-24页
    2.3 光阴极组件制备流程第24-26页
        2.3.1 反射式光阴极组件制备工艺及流程第24-25页
        2.3.2 透射式光阴极组件制备工艺及流程第25-26页
    2.4 表征III-V族光阴极性能的特性参数第26-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第三章 GaSb光阴极发射层制备方法研究第28-42页
    3.1 实验内容及发射层生长工艺设计第28-29页
        3.1.1 未掺杂GaSb薄膜生长实验设计第28页
        3.1.2 发射层结构组分设计及掺杂实验设计第28-29页
    3.2 GaSb光阴极发射层MOCVD生长制备实验第29-41页
        3.2.1 实验设备简介及实验操作过程第29-32页
        3.2.2 生长温度对未掺杂GaSb外延质量的影响第32-35页
        3.2.3 V/III对未掺杂GaSb外延质量的影响第35-37页
        3.2.4 重掺杂GaSb发射层薄膜制备第37-41页
    3.3 本章小结第41-42页
第四章 GaSb光阴极发射层AFM测试与表面光电压谱测试第42-51页
    4.1 GaSb发射层组件AFM表面形貌测试第42-45页
        4.1.1 AFM测试简介第42-43页
        4.1.2 GaSb发射层AFM表面形貌测试第43-45页
    4.2 GaSb发射层薄膜表面光电压谱测试第45-50页
        4.2.1 表面光电压谱技术简介第45-46页
        4.2.2 GaSb发射层薄膜表面光电压谱测试第46-50页
    4.3 本章小结第50-51页
第五章 结论与展望第51-53页
    5.1 实验结论第51-52页
    5.2 展望第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-56页
硕士期间发表的论文及项目参与情况第56页

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