| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 微光夜视光阴极发展历程 | 第9-11页 |
| 1.3 光阴极光电发射机理 | 第11-14页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 GaSb材料性质及III-V族光阴极组件结构特性 | 第16-28页 |
| 2.1 GaSb材料特性及外延制备方法 | 第16-20页 |
| 2.1.1 GaSb材料特性 | 第16-17页 |
| 2.1.2 GaSb材料外延制备手段 | 第17-20页 |
| 2.2 III-V族光阴极组件结构 | 第20-24页 |
| 2.2.1 反射式光阴极结构 | 第20-21页 |
| 2.2.2 透射式光阴极结构 | 第21-23页 |
| 2.2.3 发射层组分结构 | 第23-24页 |
| 2.3 光阴极组件制备流程 | 第24-26页 |
| 2.3.1 反射式光阴极组件制备工艺及流程 | 第24-25页 |
| 2.3.2 透射式光阴极组件制备工艺及流程 | 第25-26页 |
| 2.4 表征III-V族光阴极性能的特性参数 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 GaSb光阴极发射层制备方法研究 | 第28-42页 |
| 3.1 实验内容及发射层生长工艺设计 | 第28-29页 |
| 3.1.1 未掺杂GaSb薄膜生长实验设计 | 第28页 |
| 3.1.2 发射层结构组分设计及掺杂实验设计 | 第28-29页 |
| 3.2 GaSb光阴极发射层MOCVD生长制备实验 | 第29-41页 |
| 3.2.1 实验设备简介及实验操作过程 | 第29-32页 |
| 3.2.2 生长温度对未掺杂GaSb外延质量的影响 | 第32-35页 |
| 3.2.3 V/III对未掺杂GaSb外延质量的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.4 重掺杂GaSb发射层薄膜制备 | 第37-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 GaSb光阴极发射层AFM测试与表面光电压谱测试 | 第42-51页 |
| 4.1 GaSb发射层组件AFM表面形貌测试 | 第42-45页 |
| 4.1.1 AFM测试简介 | 第42-43页 |
| 4.1.2 GaSb发射层AFM表面形貌测试 | 第43-45页 |
| 4.2 GaSb发射层薄膜表面光电压谱测试 | 第45-50页 |
| 4.2.1 表面光电压谱技术简介 | 第45-46页 |
| 4.2.2 GaSb发射层薄膜表面光电压谱测试 | 第46-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 实验结论 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 硕士期间发表的论文及项目参与情况 | 第56页 |
