| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN材料的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN材料的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 GaN材料的应用 | 第17-19页 |
| 1.4.1 重掺杂GaN材料的应用 | 第17-18页 |
| 1.4.2 非极性GaN材料的应用 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第19-21页 |
| 第2章 MOCVD外延生长技术及材料表征方法 | 第21-33页 |
| 2.1 GaN生长方法介绍 | 第21-22页 |
| 2.2 MOCVD外延技术 | 第22-28页 |
| 2.2.1 MOCVD设备系统介绍 | 第22页 |
| 2.2.2 MOCVD外延生长原理 | 第22-26页 |
| 2.2.3 MOCVD中薄膜生长模式 | 第26-27页 |
| 2.2.4 MOCVD外延生长条件 | 第27-28页 |
| 2.3 GaN材料的表征方法 | 第28-32页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第28页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.3 XRD | 第29-30页 |
| 2.3.4 PL谱 | 第30-31页 |
| 2.3.5 Hall测试 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 GaN的缺陷选择性腐蚀研究 | 第33-45页 |
| 3.1 GaN材料中的缺陷 | 第33-37页 |
| 3.1.1 GaN材料中存在的缺陷 | 第33页 |
| 3.1.2 GaN材料中的位错 | 第33-36页 |
| 3.1.3 位错的表征方法 | 第36-37页 |
| 3.2 GaN材料缺陷选择性腐蚀机理 | 第37-42页 |
| 3.2.1 GaN材料的腐蚀机理 | 第37-40页 |
| 3.2.2 三种腐蚀坑与位错的对应关系 | 第40-42页 |
| 3.3 腐蚀条件的优化 | 第42-44页 |
| 3.3.1 温度对于腐蚀的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.2 时间对于腐蚀的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 重掺杂n型GaN材料特性研究 | 第45-57页 |
| 4.1 改变SiH_4流量制备重掺杂n型GaN | 第45-50页 |
| 4.1.1 掺杂源SiH_4流量对GaN薄膜光学性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.2 掺杂源SiH_4流量对GaN薄膜晶体质量的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.3 掺杂源SiH_4流量对GaN薄膜电学性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.4 掺杂源SiH_4流量对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.2 改变掺杂方式制备重掺杂n型GaN | 第50-54页 |
| 4.2.1 掺杂方式对于GaN薄膜表面形貌的影响 | 第51页 |
| 4.2.2 掺杂方式对于GaN薄膜光学特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.3 掺杂方式对于GaN薄膜电学特性、晶体质量的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.4 GaN薄膜基于缺陷选择性腐蚀的分析 | 第53-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-57页 |
| 第5章 非极性a面GaN、半极性（11-22）面GaN的生长与腐蚀研究 | 第57-69页 |
| 5.1 非极性a面GaN的生长研究 | 第57-61页 |
| 5.1.1 生长方式对非极性a面GaN表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 5.1.2 生长方式对非极性a面GaN晶体质量的影响 | 第60-61页 |
| 5.2 非极性a面GaN的腐蚀研究 | 第61-65页 |
| 5.2.1 非极性a面的腐蚀特性 | 第61-62页 |
| 5.2.2 非极性a面GaN腐蚀结果分析 | 第62-65页 |
| 5.3 半极性（11-22）面Ga N的生长研究 | 第65-67页 |
| 5.3.1 生长时间对于半极性（11-22）面GaN表面形貌的影响 | 第66页 |
| 5.3.2 半极性（11-22）面GaN材料的腐蚀研究 | 第66-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
