| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 什么是分形 | 第12页 |
| 1.2 分形在薄膜材料中的应用及研究进展 | 第12-15页 |
| 1.3 分形生长模型4 | 第15-18页 |
| 1.3.1 扩散限制凝聚（Diffusion Limited Aggregation,DLA）模型 | 第15-16页 |
| 1.3.2 随机逐次成核（Random Successive Nucleation,RSN）模型 | 第16-17页 |
| 1.3.3 随机逐次成核生长（Random Successive Nucleation Growth,RSNG）模型 | 第17-18页 |
| 1.4 半导体锗团簇材料的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 真空热蒸发镀膜法 | 第19-21页 |
| 1.5.1 真空蒸发原理 | 第19-20页 |
| 1.5.2 真空蒸发特点 | 第20页 |
| 1.5.3 基片的清洗 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文的选题背景及研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 Au诱导非晶半导体Ge分形的形成及电学性质研究 | 第23-45页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 Ge纳米晶的可控制生长和纳米薄膜的电学性质 | 第24-34页 |
| 2.2.1 实验内容 | 第24-26页 |
| 2.2.2 结果与讨论 | 第26-34页 |
| 2.2.2.1 TEM和HRTEM形貌和微结构分析 | 第26-31页 |
| 2.2.2.2 分形维数计算 | 第31-32页 |
| 2.2.2.3 分形纳米薄膜电学行为的研究 | 第32-34页 |
| 2.3 Au/Ge双层薄膜的分形结构和薄膜的热电势性质 | 第34-44页 |
| 2.3.1 实验部分 | 第34-35页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第35-44页 |
| 2.3.2.1 TEM观察和HRTEM微结构分析 | 第35-38页 |
| 2.3.2.2 Au/Ge双层薄膜电阻率的测量 | 第38-40页 |
| 2.3.2.3 Au/Ge双层薄膜热电势(TEP)的测量 | 第40-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 Pd诱导半导体Ge分形团簇的形成 | 第45-54页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-53页 |
| 3.3.1 TEM形貌分析 | 第46-48页 |
| 3.3.2 分形维数的计算 | 第48-51页 |
| 3.3.3 薄膜电阻的测量 | 第51-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 Al诱导非晶Ge晶化和分形花样的形成 | 第54-64页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 实验部分 | 第54-55页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第55-63页 |
| 4.3.1 薄膜的表面形貌分析（SEM和AFM）及XRD图谱分析 | 第55-60页 |
| 4.3.2 分形花样的元素分析和Raman光谱分析 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-67页 |
| 5.1 结论 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 作者攻读硕士学位期间公开发表的学术论文、专利 | 第77-79页 |
| 作者参与项目及基金来源 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
