| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 概述 | 第10页 |
| 1.2 III-V 族化合物半导体材料的基本特性和制备应用 | 第10-19页 |
| 1.2.1 III-V 族化合物简介 | 第10-12页 |
| 1.2.2 GaN 材料的基本结构及性质 | 第12-19页 |
| 1.3 GaN 基 LED 简介 | 第19-22页 |
| 1.3.1 GaN 基 LED 的发展历程 | 第19页 |
| 1.3.2 GaN 基 LED 的生产工艺流程 | 第19-20页 |
| 1.3.3 GaN 基 LED 的发展现状及存在的问题 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要工作安排 | 第22-24页 |
| 第二章 MOCVD 设备简介及相关表征方法 | 第24-34页 |
| 2.1 MOCVD 概述 | 第24页 |
| 2.2 MOCVD 设备简介 | 第24-27页 |
| 2.2.1 MOCVD 的气体输运分系统 | 第25-26页 |
| 2.2.2 MOCVD 的反应室分系统 | 第26-27页 |
| 2.2.3 MOCVD 的控制分系统、尾气处理分系统和安全系统 | 第27页 |
| 2.3 材料表征方法概述 | 第27-33页 |
| 2.3.1 高分辨 X 射线衍射仪(HRXRD) | 第27-29页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第29-31页 |
| 2.3.3 光致发光谱(PL) | 第31-32页 |
| 2.3.4 霍尔(HALL)效应测试仪 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 成核层生长温度对两步法生长 GaN 外延薄膜的影响 | 第34-48页 |
| 3.1 GaN 薄膜材料的外延生长技术 | 第34-37页 |
| 3.1.1 GaN 薄膜材料外延生长的基本模式 | 第34-35页 |
| 3.1.2 GaN 薄膜材料的两步法外延生长工艺 | 第35-37页 |
| 3.2 不同成核层生长温度的 GaN 外延薄膜的制备 | 第37页 |
| 3.3 成核层温度对 GaN 外延薄膜结晶质量的影响 | 第37-45页 |
| 3.3.1 GaN 外延薄膜的原位监测曲线分析 | 第37-39页 |
| 3.3.2 GaN 成核层退火后的 AFM 分析 | 第39-40页 |
| 3.3.3 GaN 外延薄膜的 AFM 分析 | 第40-41页 |
| 3.3.4 GaN 外延薄膜的 XRD 分析 | 第41-43页 |
| 3.3.5 GaN 外延薄膜的 PL 分析 | 第43-44页 |
| 3.3.6 GaN 外延薄膜的 HALL 分析 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-48页 |
| 第四章 不同成核层氨气流量的 GaN 外延薄膜的研究 | 第48-57页 |
| 4.1 TMGa 与 NH3生长 GaN 材料的化学反应动力学 | 第48-49页 |
| 4.2 成核层 V/III 比对 GaN 外延薄膜晶体质量的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 试验样品的制备 | 第50-51页 |
| 4.4 成核层氨气流量对 GaN 外延薄膜的影响 | 第51-56页 |
| 4.4.1 GaN 外延薄膜的原位监测曲线分析 | 第51页 |
| 4.4.2 GaN 外延薄膜的 XRD 分析 | 第51-53页 |
| 4.4.3 GaN 外延薄膜的 AFM 分析 | 第53-54页 |
| 4.4.4 GaN 外延薄膜的 PL 分析 | 第54-55页 |
| 4.4.5 GaN 外延薄膜的 HALL 分析 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-61页 |
| 5.1 结论 | 第57-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第73页 |
