| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 Mg_2Si的基本性质 | 第10-18页 |
| 1.2.1 Mg-Si体系相图 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Mg_2Si能带结构 | 第11-13页 |
| 1.2.3 Mg_2Si的电子态密度 | 第13-15页 |
| 1.2.4 Mg_2Si的光学、电学特性 | 第15-18页 |
| 1.3 Mg_2Si薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 Mg_2Si材料的应用研究 | 第19-21页 |
| 1.4.1 热电材料 | 第19-20页 |
| 1.4.2 电池材料 | 第20页 |
| 1.4.3 光电子器件 | 第20-21页 |
| 1.5 本文主要的研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第22-32页 |
| 2.1 原料 | 第22页 |
| 2.2 制备仪器 | 第22-25页 |
| 2.2.1 真空镀膜机 | 第23页 |
| 2.2.2 高真空退火炉 | 第23-25页 |
| 2.3 样品的表征 | 第25-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪(XRD） | 第25-27页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第27页 |
| 2.3.3 霍尔效应测试仪 | 第27-28页 |
| 2.3.4 台阶仪 | 第28页 |
| 2.3.5 四探针 | 第28-29页 |
| 2.3.6 半导体器件分析仪 | 第29-30页 |
| 2.3.7 光谱响应测量系统 | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 Mg_2Si薄膜的制备与表征分析 | 第32-40页 |
| 3.1 样品制备 | 第32-33页 |
| 3.2 Mg膜的沉积速率 | 第33-35页 |
| 3.2.1 台阶样品的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 Mg的沉积速率 | 第34-35页 |
| 3.3 Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜生长的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.1 不同蒸发Mg膜厚度的Mg_2Si薄膜样品制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 不同Mg膜厚度的Mg_2Si薄膜的X射线衍射 | 第36-37页 |
| 3.3.3 不同Mg膜厚度的Mg_2Si薄膜的表面形貌 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 Mg_2Si/Si异质结的制备与研究 | 第40-49页 |
| 4.1 Mg_2Si/Si异质结的制备 | 第40-41页 |
| 4.2 Mg_2Si/Si异质结的电学、光学性质研究 | 第41-47页 |
| 4.2.1 Mg_2Si/n-Si薄膜电阻率 | 第42-43页 |
| 4.2.2 Mg_2Si/Si异质结I-V特性研究 | 第43-44页 |
| 4.2.3 Mg_2Si/n-Si异质结光谱响应特性研究 | 第44-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 Si/Mg_2Si/Si双异质结的制备与研究 | 第49-54页 |
| 5.1 p-Si/Mg_2Si/n-Si的双异质结的制备 | 第49-50页 |
| 5.2 p-Si/Mg_2Si/n-Si双异质结I-V特性研究 | 第50-51页 |
| 5.3 p-Si/Mg_2Si/n-Si双异质结光谱响应特性研究 | 第51-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结 | 第54-56页 |
| 6.1 主要结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录 | 第61-62页 |
