| 第一章 前言 | 第5-11页 |
| 1.1 ZnO 薄膜材料的制备进程 | 第6-7页 |
| 1.2 ZnO 薄膜材料应用 | 第7-9页 |
| 1.3 研究动机与主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 ZnO 压电特性和生长技术 | 第11-27页 |
| 2.1 压电效应 | 第12页 |
| 2.2 表面声波 | 第12-14页 |
| 2.3 压电材料 | 第14-16页 |
| 2.4 ZnO 基表面声波器件 | 第16-17页 |
| 2.5 衬底选择 | 第17-18页 |
| 2.6 器件结构特性 | 第18-21页 |
| 2.7 ZnO 薄膜生长 | 第21-23页 |
| 2.8 用于 ZnO 生长的等离子增强 MOCVD 反应系统 | 第23-27页 |
| 第三章 在金刚石单晶衬底上的声表面波用 ZnO 结构的 MOCVD 生长 | 第27-37页 |
| 3.1 单晶金刚石材料特性 | 第27-28页 |
| 3.2 ZnO 薄膜生长 | 第28-29页 |
| 3.3 测试结果与讨论 | 第29-37页 |
| 第四章 在多晶金刚石/硅衬底上的 ZnO 薄膜的外延生长 | 第37-44页 |
| 第五章 ZnO 基 SAWF 的初步制备 | 第44-52页 |
| 5.1 声表面波滤波器件的设计 | 第44-47页 |
| 5.2 器件制备步骤 | 第47-49页 |
| 5.3 器件测试步骤 | 第49-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 摘要 | 第58-60页 |
| ABSTRACT | 第60页 |
