| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 铁电材料的基本特性 | 第7-8页 |
| 1.2 铁电材料的发展 | 第8-10页 |
| 1.3 铁电材料的分类 | 第10-11页 |
| 1.4 铁电材料的应用 | 第11-19页 |
| 1.4.1 热释电红外探测器 | 第12-13页 |
| 1.4.2 全内反光开关 | 第13页 |
| 1.4.3 铁电存储器 | 第13-19页 |
| 第二章 薄膜的生长机理及其制备方法 | 第19-27页 |
| 2.1 薄膜的生长原理 | 第19-21页 |
| 2.1.1 临界核的形成 | 第19-20页 |
| 2.1.2 岛的长大与接合 | 第20页 |
| 2.1.3 迷津结构的形成 | 第20-21页 |
| 2.1.4 连续膜的形成 | 第21页 |
| 2.2 薄膜的制备方法 | 第21-27页 |
| 2.2.1 有机化合物热分解法与金属有机化合物气相淀积法 | 第22页 |
| 2.2.2 溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| 2.2.3 液态源雾化化学沉积法 | 第23-24页 |
| 2.2.4 组装与分子自组装技术 | 第24-25页 |
| 2.2.5 脉冲激光溅射沉积法 | 第25-27页 |
| 第三章 液态源雾化化学沉积(LSMCD)技术 | 第27-33页 |
| 3.1 LSMCD工艺的原理及工艺流程 | 第27-28页 |
| 3.2 LSMCD技术的设备装置 | 第28-31页 |
| 3.3 LSMCD技术的优越性 | 第31-33页 |
| 第四章 LSMCD法制备PLT薄膜 | 第33-43页 |
| 4.1 PLT铁电薄膜先体溶液的制备 | 第33-35页 |
| 4.2 基片和底电极的选择与制备 | 第35-37页 |
| 4.3 PLT薄膜的制备 | 第37-40页 |
| 4.3.1 液态源雾化化学沉积系统装置 | 第37-39页 |
| 4.3.2 LSMCD法沉积PLT薄膜的工艺条件 | 第39-40页 |
| 4.4 PLT薄膜的热处理工艺 | 第40-41页 |
| 4.5 薄膜上电极的制备 | 第41-43页 |
| 第五章 LSMCD法制备PLT薄膜的相结构和性能 | 第43-50页 |
| 5.1 LSMCD法制备PLT薄膜的成膜机理 | 第43-45页 |
| 5.2 不同退火温度下薄膜的XRD图和SEM图 | 第45-48页 |
| 5.3 薄膜的沉积速率 | 第48-49页 |
| 5.4 PLT薄膜的介电常数 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第55-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |