退火工艺对CdSe薄膜结晶性能的影响研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第8-12页 |
| 1.1 CdSe半导体材料的研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 CdSe半导体材料的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本论文研究的主要内容 | 第10-12页 |
| 第2章 CdSe薄膜的制备及退火原理 | 第12-19页 |
| 2.1 实验设备及原理 | 第12-14页 |
| 2.1.1 真空镀膜机及工作原理 | 第12-13页 |
| 2.1.2 管式退火炉及工作原理 | 第13-14页 |
| 2.2 蒸发电流对CdSe薄膜结晶性能的影响研究 | 第14-18页 |
| 2.2.1 CdSe薄膜制备 | 第14-15页 |
| 2.2.2 表面形貌 | 第15-16页 |
| 2.2.3 表面粗糙度 | 第16-17页 |
| 2.2.4 结构分析 | 第17-18页 |
| 2.3 小结 | 第18-19页 |
| 第3章 退火温度对CdSe薄膜的结晶性能影响研究 | 第19-24页 |
| 3.1 退火实验 | 第19页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第19-23页 |
| 3.2.1 结构分析 | 第19-20页 |
| 3.2.2 表面形貌测试 | 第20-22页 |
| 3.2.3 薄膜成份分析 | 第22-23页 |
| 3.3 小结 | 第23-24页 |
| 第4章 退火时间对CdSe薄膜结晶性能的影响研究 | 第24-34页 |
| 4.1 保温时间对CdSe薄膜结晶性能的影响研究 | 第24-27页 |
| 4.1.1 退火实验 | 第24页 |
| 4.1.2 XRD分析 | 第24-26页 |
| 4.1.3 表面形貌观察 | 第26-27页 |
| 4.1.4 小结 | 第27页 |
| 4.2 降温时间对CdSe薄膜结晶性能的影响研究 | 第27-34页 |
| 4.2.1 退火实验 | 第27页 |
| 4.2.2 XRD分析 | 第27-28页 |
| 4.2.3 表面形貌观察 | 第28-29页 |
| 4.2.4 XPS测试 | 第29-33页 |
| 4.2.5 小结 | 第33-34页 |
| 结论 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 致谢 | 第40-42页 |
| 在学期间的科研情况 | 第42页 |
