| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 GaN材料特性简介 | 第18-20页 |
| 1.2.1 GaN材料的物理结构特性 | 第18-19页 |
| 1.2.2 GaN的化学性质 | 第19页 |
| 1.2.3 GaN材料的电学性质 | 第19页 |
| 1.2.4 GaN材料的光学性质 | 第19-20页 |
| 1.3 GaN材料的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.1 光电领域的应用 | 第20页 |
| 1.3.2 电力电子器件的应用 | 第20-21页 |
| 1.4 磁控溅射技术 | 第21-22页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 GaN生长技术与材料表征方法 | 第23-35页 |
| 2.1 宽禁带半导体材料生长工艺 | 第23-25页 |
| 2.1.1 分子束外延(MBE) | 第24页 |
| 2.1.2 氢化物气相外延技术(HVPE) | 第24-25页 |
| 2.2 MOCVD外延技术 | 第25-27页 |
| 2.2.1 MOCVD技术简介 | 第25页 |
| 2.2.2 西安电子科技大学自主研制的MOCVD系统 | 第25-27页 |
| 2.3 材料测试方法 | 第27-35页 |
| 2.3.1 原子力显微镜（AFM） | 第27-28页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第28-31页 |
| 2.3.3 拉曼光谱(Raman Spectra) | 第31-32页 |
| 2.3.4 二次离子质谱（SIMS） | 第32-35页 |
| 第三章 磁控溅射AlN上再生长的外延方法研究 | 第35-48页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 磁控溅射AlN的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 磁控溅射AlN上的预处理方法研究 | 第36-37页 |
| 3.4 氮化时间的优化 | 第37-42页 |
| 3.4.1 实验的设计 | 第37-38页 |
| 3.4.2 材料表征 | 第38-42页 |
| 3.5 氨气流量及氮化温度的优化与分析 | 第42-46页 |
| 3.5.1 实验设计 | 第42-43页 |
| 3.5.2 材料表征 | 第43-46页 |
| 3.6 小结 | 第46-48页 |
| 第四章 基于磁控溅射AlN上MOCVD外延再生长GaN的层结构研究 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 GaN外延层结构的优化 | 第48-51页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第48-49页 |
| 4.2.2 材料表征 | 第49-51页 |
| 4.3 氨气流量对AlN层的影响 | 第51-55页 |
| 4.3.1 实验设计 | 第51-53页 |
| 4.3.2 材料表征 | 第53-55页 |
| 4.4 厚度对AlN层的影响 | 第55-58页 |
| 4.4.1 实验设计 | 第55页 |
| 4.4.2 材料表征 | 第55-58页 |
| 4.5 小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 作者简介 | 第67-69页 |
